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场效应晶体管是电压控制电流的电子元件。（）

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考题 场效应管是( ) 器件。 A.电流控制电流B电流控制电压C电压控制电压D电压控制电流
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考题 三极管β值是反映()能力的参数。 A、电压控制电压B、电流控制电流C、电压控制电流D、电流控制电压
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考题 场效应晶体管是用()控制漏极电流的。A、栅源电流B、栅源电压C、漏源电流D、漏源电压
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考题 在放大电路中，三极管是用集电极电流控制基极电流大小的电子元件。( )
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考题 在放大电路中，三极管是用集电极电流控制基极电流大小的电子元件A对B错
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考题 电阻器在电路中具有降低电压、分配电压、限制电流和向电子元件提供必要的工作条件（电压或电流）等几种功能。
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考题 描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是（）。A、漏极电流，压漏－源电压，以栅极电压为参变量B、漏极电流，栅极电压，以漏－源电压为参变量C、基极电压，集电极电流，以集电极电压为参变量D、漏极电流，栅极电流，以漏－源电压为参变量
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考题 场效应晶体管的栅源电压变化可以控制漏电流变化。（）
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考题 双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号（即驱动信号）为（）。A、均为电压控制B、均为电流控制C、双极型晶体管为电压控制，场效应管为电流控制D、双极型晶体管为电流控制，场效应管为电压控制
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考题 三极管和场效应晶体管的控制信号（即驱动信号）为（）。A、均为电压控制B、均为电流控制C、三极管为电压控制，场效应管为电流控制D、三极管为电流控制，场效应管为电压控制
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考题 双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号为（）。A、电压B、电流C、双极型为电压、场效应为电流D、双极型为电流、场效应为电压
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考题 晶体管是电流控制型半导体器件，而场效应晶体管则是电压型控制半导体器件。
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考题 场效应晶体管是用栅极电压控制漏极电流的。
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考题 三极管是电流控制器件，场效应晶体管是（）器件。A、电阻控制B、电压控制C、动态控制D、单项控制
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考题 SIM9仿真库中的主要元件有电阻、电容、电感、（）、（）、JFET结型场效应晶体管、MOS场效应晶体管、电压/电流控制开关、熔丝、继电器、互感、TTL和CMOS数字电路元器件、模块电路等
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考题 电力场效应晶体管属于电流型控制元件。
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考题 晶体管是（）器件。A、电流控制电流B、电流控制电压C、电压控制电压
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考题 场效应管是（）器件。A、电压控制电压B、电流控制电压C、电压控制电流D、电流控制电流
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考题 BJT的β值是反映（）能力的参数。A、电压控制电压B、电流控制电流C、电压控制电流D、电流控制电压
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考题 电力场效应晶体管（电力MOSFET）是理想的（）控制器件。A、电压B、电流C、电阻D、功率
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考题 双极型晶体管和场效应晶体管的驱动信号（）。A、均为电压控制B、均为电流控制C、双极型晶体管为电压控制，场效应晶体管为电流控制D、双极型晶体管为电流控制，场效应晶体管为电压控制
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考题 场效应晶体管的主要参数有（）A、开启电压B、低频跨导C、漏源击穿电压D、最大耗散功率E、最大漏极电流
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考题 电力场效应晶体管是理想的（）控制型器件A、电压B、电流C、电阻D、功率
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考题 单选题电力场效应晶体管（电力MOSFET）是理想的（）控制器件。A 电压B 电流C 电阻D 功率
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考题 判断题电力场效应晶体管属于电流型控制元件。A 对B 错
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考题 填空题SIM9仿真库中的主要元件有电阻、电容、电感、（）、（）、JFET结型场效应晶体管、MOS场效应晶体管、电压/电流控制开关、熔丝、继电器、互感、TTL和CMOS数字电路元器件、模块电路等
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考题 判断题电阻器在电路中具有降低电压、分配电压、限制电流和向电子元件提供必要的工作条件（电压或电流）等几种功能。A 对B 错
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考题 单选题场效应管是（）器件。A 电流控制电压B 电压控制电压C 电压控制电流D 电流控制电流
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