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场效应晶体管的主要参数有（）
- A、开启电压
- B、低频跨导
- C、漏源击穿电压
- D、最大耗散功率
- E、最大漏极电流
参考答案
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考题
描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是（）。A、漏极电流，压漏－源电压，以栅极电压为参变量B、漏极电流，栅极电压，以漏－源电压为参变量C、基极电压，集电极电流，以集电极电压为参变量D、漏极电流，栅极电流，以漏－源电压为参变量
考题
SIM9仿真库中的主要元件有电阻、电容、电感、（）、（）、JFET结型场效应晶体管、MOS场效应晶体管、电压/电流控制开关、熔丝、继电器、互感、TTL和CMOS数字电路元器件、模块电路等
考题
单选题绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为（）A
P沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管B
增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管C
N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管D
N沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管
考题
填空题SIM9仿真库中的主要元件有电阻、电容、电感、（）、（）、JFET结型场效应晶体管、MOS场效应晶体管、电压/电流控制开关、熔丝、继电器、互感、TTL和CMOS数字电路元器件、模块电路等
考题
单选题结型场效应晶体管根据结构不同分为（）A
P沟道结型场效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管B
P沟道结型场效应晶体管和N沟道增强型场效应晶体管C
N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管D
N沟道结型场效应晶体管和P沟道型绝缘栅场效应晶体管
考题
单选题场效应晶体管根据结构不同分为两大类，它们的类型和简称是（）A
结型场效应晶体管，简称JFETB
绝缘栅型场效应晶体管，简称JFETC
结型场效应晶体管JGFETD
绝缘栅型场效应晶体管JGFET
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