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采用QS1电桥测量tanδ，正接线比反接线准确度低。

A对

B错

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参考解析
略
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考题 QSl西林电桥侧接线的测量准确度很高。( )
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考题 采用QS1电桥进行反接线测试tanδ，其工作电压不可超过10kV。A对B错
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考题 西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品不能与地隔离时的测量。A对B错
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考题 采用QS1电桥测量tanδ的接线方式一般有差接线及和接线。A对B错
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考题 采用QS1电桥进行反接线测试tanδ，其工作电压不可超过10kV。
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考题 西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品不能与地隔离时的测量。
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考题 在相同条件下，用QS1型西林电桥测量小电容试品中的tg∮和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。
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考题 QS1型西林电桥正接线时电桥桥臂都处于高电位。
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考题 QS1电桥反接线时（）都处于高电位情况。
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考题 QS1型交流电桥在使用时采用正接线方法，是使被试设备（）对地绝缘，电桥处于（），试验电压不受电桥绝缘水平限制，易于排除高压端对地杂散电流对实际测量结果的影响，抗干扰性强，被广泛使用.A、两端、高电位B、两端、低电位C、一端、低电位D、一端、高电位
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考题 使用QS1型交流电桥测量tanØ时，现场采用排除电场干扰的方法有以下几种（）A、提高试验电压B、采用正接线方法C、用电桥内部“选相”、“倒相”法接线，排除干扰源对电源相位的干扰D、在被试设备上加装屏蔽罩
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考题 使用QS1型交流电桥测量tanØ时，造成-tanØ值出现的原因有（）A、温度影响B、强电场干扰C、测量中接线错误D、测量有抽取电压装置的电容式套管时，套管表面脏污
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考题 采用QS1电桥测量tanδ，正接线比反接线准确度低。
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考题 采用QS1电桥测量tanδ的接线方式一般有差接线及和接线。
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考题 采用QS1电桥测量tanδ，正接线比反接线准确度（）。A、低B、高C、相等
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考题 西林电桥测试tanδ时采用（）时适用于被试品不能与地隔离时的测量。A、正接线B、反接线C、交叉接线
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考题 为什么用QS1型西林电桥测量小电容试品介质损耗因数时，采用正接线好？
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考题 QS1型交流电桥在使用时有通常有以下（）接线方法A、正接线B、反接线C、侧接线D、低压接线
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考题 用QS1电桥测量变压器套管连同绕组一起的介损tgδ，应采用何种接线？如何接线？
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考题 判断题采用QS1电桥进行反接线测试tanδ，其工作电压不可超过10kV。A 对B 错
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考题 判断题采用QS1电桥测量tanδ，正接线比反接线准确度低。A 对B 错
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考题 单选题采用QS1电桥测量tanδ，正接线比反接线准确度（）。A 低B 高C 相等
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考题 判断题采用QS1电桥测量tanδ的接线方式一般有差接线及和接线。A 对B 错
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考题 判断题西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品不能与地隔离时的测量。A 对B 错
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考题 判断题QS1型西林电桥正接线时电桥桥臂都处于高电位。A 对B 错
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考题 单选题西林电桥测试tanδ时采用（）时适用于被试品不能与地隔离时的测量。A 正接线B 反接线C 交叉接线
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考题 判断题在相同条件下，用QS1型西林电桥测量小电容试品中的tg∮和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。A 对B 错
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