网友您好, 请在下方输入框内输入要搜索的题目:

题目内容 (请给出正确答案)

54、在熔体中形成__所需的能量称为成核势垒。


参考答案和解析
库伦阻塞,电流中断
更多 “54、在熔体中形成__所需的能量称为成核势垒。” 相关考题
考题 在被搅拌的熔体中,从加入示踪剂到它在熔体中均匀分布所需时间称为()。

考题 微粒的物理稳定性取决于总势能曲线上势垒大小,当势垒为零时,微粒会发生聚结。( )此题为判断题(对,错)。

考题 在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制成的()而成为相邻电子元件的绝缘体A、栅氧化层B、沟槽C、势垒D、场氧化层

考题 金属材料热处理时,奥氏体形成第二阶段称为()。A、珠光体成核B、奥氏体晶核长大C、奥氏体分成均匀化D、亚共体钢成核

考题 电源就是供给和维持电路所需的能量源,也叫电动势。

考题 在成核-生长机制的液-固相变过程中,其成核过程有非均匀成核与均匀成核之分。将非均匀成核与均匀成核过程的成核势垒相比较,有如下关系()。A、非均匀成核势垒≥均匀成核势垒B、非均匀成核势垒≤均匀成核势垒C、非均匀成核势垒=均匀成核势垒D、视具体情况而定,以上三种均可能。

考题 从微观讲,在应力超过屈服应力后,应力已足以克服链段运动所需克服的势垒,链段开始运动,甚至发生分子链之间相互滑移,即流动,此时材料发生了屈服()

考题 熔体的能量和晶体的能量只差越小,则析晶倾向()。

考题 液-固相变时,非均匀成核位垒与接触角θ有关,当θ为()时,非均匀成核位垒与均匀成核位垒相等。

考题 均匀成核时,临界成核位垒ΔGk=(),其值相当于()具有临界半径r的粒子数nk/N=()。

考题 下列RNA中,参与形成核糖体的是()。A、hnRNAB、mRNAC、snRNAD、tRNA

考题 当PN结反向工作时,其结电容主要是()A、势垒电容B、扩散电容C、平面电容D、势垒和扩散电容并存

考题 在核糖体上形成肽链所需的能量,由水解GTP来提供。

考题 在玻璃熔化中澄清、均化、冷却温度根据熔体在各阶段所需粘度确定。

考题 单选题根据量子力学,当自由运动的电子被高过其本身能量的势垒散射时,下列哪种情况会发生?()A 电子有较小的概率穿过该势垒B 电子一定会被势垒弹回C 电子一定会穿过势垒D 电子会被束缚在势垒中

考题 填空题从熔体中析晶的过程分二步完成,首先是(),然后就是()过程。均匀成核的成核速率由()因子和()因子所决定的。

考题 判断题pn结反向偏置时,外加电压在势垒区产生的电场和自建电场的方向是一致的,加强了势垒区的电场。导致势垒降低,势垒区宽度变小。A 对B 错

考题 单选题下列RNA中,参与形成核糖体的是()。A hnRNAB mRNAC snRNAD tRNA

考题 填空题势垒电容反映的是PN结的()电荷随外加电压的变化率。PN结的掺杂浓度越高,则势垒电容就越();外加反向电压越高,则势垒电容就越()。

考题 单选题晶核的成核位垒越低,析晶过程越容易进行,按析晶过程由易到难的顺序排列,下列正确的是()A 均匀成核非均匀成核润湿的非均匀成核B 非均匀成核润湿的非均匀成核均匀成核C 润湿的非均匀成核非均匀成核均匀成核D 润湿的非均匀成核均匀成核非均匀成核

考题 判断题在玻璃熔化中澄清、均化、冷却温度根据熔体在各阶段所需粘度确定。A 对B 错

考题 填空题当对PN结外加正向电压时,其势垒区宽度会(),势垒区的势垒高度会()。

考题 判断题微观粒子贯穿势垒的概率与势垒的宽度和高度有关,当势垒加宽或变高时,势垒贯穿概率变小。A 对B 错

考题 填空题均匀成核时,临界成核位垒ΔGk=(),其值相当于()具有临界半径r的粒子数nk/N=()。

考题 问答题试述熔体粘度对玻璃形成的影响?在硅酸盐熔体中,分析加入—价碱金属氧化物、二价金属氧化物或B2O3后熔体粘度的变化?为什么?

考题 填空题液-固相变时,非均匀成核位垒与接触角θ有关,当θ为()时,非均匀成核位垒与均匀成核位垒相等。

考题 名词解释题隧道势垒

考题 单选题在成核-生长机制的液-固相变过程中,其成核过程有非均匀成核与均匀成核之分。将非均匀成核与均匀成核过程的成核势垒相比较,有如下关系()。A 非均匀成核势垒≥均匀成核势垒B 非均匀成核势垒≤均匀成核势垒C 非均匀成核势垒=均匀成核势垒D 视具体情况而定,以上三种均可能。