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在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制成的()而成为相邻电子元件的绝缘体
- A、栅氧化层
- B、沟槽
- C、势垒
- D、场氧化层
参考答案
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考题
在成核-生长机制的液-固相变过程中,其成核过程有非均匀成核与均匀成核之分。将非均匀成核与均匀成核过程的成核势垒相比较,有如下关系()。A、非均匀成核势垒≥均匀成核势垒B、非均匀成核势垒≤均匀成核势垒C、非均匀成核势垒=均匀成核势垒D、视具体情况而定,以上三种均可能。
考题
单选题根据量子力学,当自由运动的电子被高过其本身能量的势垒散射时,下列哪种情况会发生?()A
电子有较小的概率穿过该势垒B
电子一定会被势垒弹回C
电子一定会穿过势垒D
电子会被束缚在势垒中
考题
判断题在铅酸蓄电池中,正极板栅比负极板栅厚,原因之一是在充电时,特别是在过充电时,正极板栅要遭到腐蚀,逐渐被氧化成二氧化铅而失去板栅的作用,为补偿其腐蚀量必须加粗加厚正极板栅。A
对B
错
考题
单选题在成核-生长机制的液-固相变过程中,其成核过程有非均匀成核与均匀成核之分。将非均匀成核与均匀成核过程的成核势垒相比较,有如下关系()。A
非均匀成核势垒≥均匀成核势垒B
非均匀成核势垒≤均匀成核势垒C
非均匀成核势垒=均匀成核势垒D
视具体情况而定,以上三种均可能。
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