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判断题
微观粒子贯穿势垒的概率与势垒的宽度和高度有关,当势垒加宽或变高时,势垒贯穿概率变小。
A

B


参考答案

参考解析
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考题 微粒的物理稳定性取决于总势能曲线上势垒大小,当势垒为零时,微粒会发生聚结。( )此题为判断题(对,错)。

考题 在成核-生长机制的液-固相变过程中,其成核过程有非均匀成核与均匀成核之分。将非均匀成核与均匀成核过程的成核势垒相比较,有如下关系()。A、非均匀成核势垒≥均匀成核势垒B、非均匀成核势垒≤均匀成核势垒C、非均匀成核势垒=均匀成核势垒D、视具体情况而定,以上三种均可能。

考题 调幅分解又称()分解、或()分解、或()分解。()分解没有形核势垒,是无核相变,通过上坡扩散,最后形成稳定的两相结构。

考题 液-固相变时,非均匀成核位垒与接触角θ有关,当θ为()时,非均匀成核位垒与均匀成核位垒相等。

考题 变容二极管是利用PN结的势垒电容而制成的,应工作在()状态。

考题 当PN结反向工作时,其结电容主要是()A、势垒电容B、扩散电容C、平面电容D、势垒和扩散电容并存

考题 单选题开关电源整流电路中,小电压大电流适合用()二极管。A 肖特基势垒B 快速恢复C 超快速恢复D 普通

考题 单选题根据量子力学,当自由运动的电子被高过其本身能量的势垒散射时,下列哪种情况会发生?()A 电子有较小的概率穿过该势垒B 电子一定会被势垒弹回C 电子一定会穿过势垒D 电子会被束缚在势垒中

考题 名词解释题势垒电容(结电容)

考题 判断题一垒跑垒员在腾空球返垒时,可以踏白色或橙色垒包A 对B 错

考题 填空题晶体管的高频小信号等效电路与直流小信号等效电路相比,增加了三个元件,它们是()、(发射结势垒电容)和()。

考题 填空题调幅分解又称()分解、或()分解、或()分解。()分解没有形核势垒,是无核相变,通过上坡扩散,最后形成稳定的两相结构。

考题 判断题pn结反向偏置时,外加电压在势垒区产生的电场和自建电场的方向是一致的,加强了势垒区的电场。导致势垒降低,势垒区宽度变小。A 对B 错

考题 填空题PN结的掺杂浓度越高,则势垒区的长度就越(),内建电场的最大值就越(),内建电势Vbi就越(),反向饱和电流I0就越(),势垒电容CT就越(),雪崩击穿电压就越()。

考题 判断题pn结平衡时,势垒区(即空间电荷区)内电子(或空穴)的扩散和漂移相抵消,整个pn结出现统一的费米能级。A 对B 错

考题 单选题一垒有跑垒员,无人出局。击球员击出二垒附近的地滚球,二垒手接球踏一垒,然后触杀仍站在一垒垒包上的一垒跑垒员。裁判员应判:()A 一垒跑垒员因妨碍出局,击球员重新击球B 击球员出局,一垒跑垒员仍站在一垒C 击球员和一垒跑垒员均出局D 一垒跑垒员出局,击球员安全上一垒

考题 判断题二垒有跑垒员,击球员击出左外场方向安打球,二垒跑垒员跑向本垒时漏踏三垒垒位,这时跑垒员发现漏踏三垒,马上依次从本垒返回三垒,在三垒手拿着球未踩向三垒前到达,裁判员判返回三垒的二垒跑垒员安全。跑垒顺序。A 对B 错

考题 填空题PN结总的电容应该包括势垒电容和()之和。

考题 多选题合法击出的球如遇下列情况的为界内球()A球停止在本垒和一垒或本垒和三垒之间的界内地区时。B击球在界内地区触地后跃过一、三垒位从垒位后面的界内地区滚出外场时。C触及一垒,二垒,三垒垒包时。D击球员击球时,球直接滚到界外地区。

考题 填空题势垒电容反映的是PN结的()电荷随外加电压的变化率。PN结的掺杂浓度越高,则势垒电容就越();外加反向电压越高,则势垒电容就越()。

考题 判断题棒球投手踏上投手板准备投球时,跑垒员可以离开垒垫3-5米,随时可以疾跑,但要根据投手投牵制球和场上情况的变化,确定继续进垒还是返垒。而垒球投手踏上投手板准备投球时,跑垒员必须踏触垒,当投球离手的瞬间方可起动离垒,当疾跑3-5米时,根据场上情况的变化,确定继续进垒还是返垒。A 对B 错

考题 填空题当对PN结外加正向电压时,其势垒区宽度会(),势垒区的势垒高度会()。

考题 判断题当一垒、一二垒有跑垒员时,击球员击出游击手的地滚球,游击手接住球后快速传杀三垒,此时二垒跑垒员已跑到三垒但冲出三垒垒垫,瞬间三垒手拿起球用脚踩三垒表示封杀,跑垒员被杀出局。A 对B 错

考题 判断题踏一垒可冲出垒垫,踏二、三垒或本垒也可冲出垒垫,冲出有被杀的危险。A 对B 错

考题 填空题液-固相变时,非均匀成核位垒与接触角θ有关,当θ为()时,非均匀成核位垒与均匀成核位垒相等。

考题 名词解释题隧道势垒

考题 单选题pn结正向偏置时,外加电场削弱势垒区内自建电场,因而势垒区内扩散占优势使p区和n区有少子注入,形成正向()A 复合电流B 漂移电流C 扩散电流D 漏电流