考题
上釉的烧结温度是( )。A.低于体瓷烧结温度5℃B.低于体瓷烧结温度10℃C.高于体瓷烧结温度5℃D.高于体瓷烧结温度10℃E.以上均不正确
考题
若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是( )。A.低于体瓷烧结温度5℃B.低于体瓷烧结温度10℃C.高于体瓷烧结温度5℃D.高于体瓷烧结温度10℃E.以上均不正确
考题
PFM冠上釉时的炉温是A、与体瓷的烧结温度相同B、低于体瓷烧结温度6～8℃C、低于体瓷烧结温度10～20℃D、高于体瓷烧结温度6～8℃E、高于体瓷烧结温度10～20℃
考题
烧结温度过低和烧结时间过短致使产品未能达到所需性能的烧结叫（）。A、预烧B、过烧C、过热D、欠烧
考题
如何用烧结模型的研究方法判断某种烧结过程的机构？烧结温度、时间、粉末粒度是如何决定具体的烧结机构的？以表面扩散为例讨论物质迁移机理和烧结收缩过程。
考题
若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是（）。A、低于体瓷烧结温度5℃B、低于体瓷烧结温度10℃C、高于体瓷烧结温度5℃D、高于体瓷烧结温度10℃E、以上均不正确
考题
上釉的烧结温度是（）。A、低于体瓷烧结温度5℃B、低于体瓷烧结温度10℃C、高于体瓷烧结温度5℃D、高于体瓷烧结温度10℃E、以上均不正确
考题
烧结矿FeO含量对烧结矿质量的影响主要表现在（）方面。A、烧结矿强度B、烧结矿冶金性能C、烧结矿的还原性D、烧结矿的软熔性能
考题
烧结矿FeO含量对烧结矿质量的影响主要表现在（）方面。A、烧结矿强度B、烧结矿熔滴性能C、烧结矿的还原性D、烧结矿的软熔性能
考题
烧结料层温度水平的高低和高温区的宽窄对烧结矿的产质量有哪些影响？
考题
烧结矿中薄壁大气孔结构产生产原因是生成（）。A、烧结温度太低B、烧结温度太高C、焦粉配比太多D、液相量太多
考题
烧结温度对烧结体的性能影响如何？试分析其原因。
考题
在烧结时，晶粒生长能促进坯体致密化吗？晶粒生长会影响烧结速率吗？试说明之。
考题
请列举适合采用烧结稳定化的废物类型及影响其烧结性能的因素。
考题
问答题简述烧结温度比常规粉体显著降低的原因。
考题
问答题如何用烧结模型的研究方法判断某种烧结过程的机构？烧结温度、时间、粉末粒度是如何决定具体的烧结机构的？以表面扩散为例讨论物质迁移机理和烧结收缩过程。
考题
问答题请列举适合采用烧结稳定化的废物类型及影响其烧结性能的因素。
考题
问答题在烧结时，晶粒生长能促进坯体致密化吗？晶粒生长会影响烧结速率吗？试说明之。
考题
单选题若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是（）。A
低于体瓷烧结温度5℃B
低于体瓷烧结温度10℃C
高于体瓷烧结温度5℃D
高于体瓷烧结温度10℃E
以上均不正确
考题
判断题坯体的烧成温度就是坯体的烧结温度。A
对B
错
考题
单选题PFM冠上釉时的炉温是（ ）。A
与体瓷的烧结温度相同B
低于体瓷烧结温度6～8℃C
低于体瓷烧结温度10～20°CD
高于体瓷烧结温度6～8℃E
高于体瓷烧结温度10～20℃
