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问答题
在双极集成电路和MOS集成电路工艺中,为什么都要用外延层?

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考题 下列关于集成电路发展过程中的主要分类说法正确的是()。 A.单极型集成电路以TTL为主B.单极型集成电路以MOS为主C.TTL是双极型集成电路中用得最多的一种D.MOS是双极型集成电路中用得最多的一种

考题 半导体存储器是现代化数字系统中重要的组成部分,有RAM和ROM两大类,当前主要用MOS工艺制成大规模集成电路。() 此题为判断题(对,错)。

考题 555定时器电路是一种()。 A.单极型中规模集成电路B.双极型中规模集成电路C.单极型大规模集成电路D.双极型大规模集成电路

考题 把构成门电路的基本元件制作在一小片半导体芯片上,就构成集成电路,根据制造工艺的不同,把数字集成电路分为哪两种。()A、双极性集成电路B、TTL集成电路C、CMOS集成电路D、单极性集成电路

考题 硅外延片的应用包括()。A、二极管和三极管B、电力电子器件C、大规模集成电路D、超大规模集成电路

考题 扩散工艺在现在集成电路工艺中仍然是是一项重要的集成电路工艺,现在主要被用来制作()。A、埋层B、外延C、PN结D、扩散电阻E、隔离区

考题 在大规模集成电路的制造中,更多采用的是MOS工艺集成电路,而不是双极型集成电路。

考题 按制造工艺集成电路分为()。A、半导体集成电路B、TTL集成电路C、厚膜集成电路D、薄膜集成电路E、CMOS集成电路

考题 MOS集成电路按其形式有NMOS和PMOS两种。

考题 晶体三极管、电阻、集成电路、超大规模集成电路等元件的装连顺序是()。A、晶体三极管、电阻、超大规模集成电路、集成电路B、集成电路、超大规模集成电路、电阻、晶体三极管C、电阻、晶体三极管、集成电路、超大规模集成电路D、超大规模集成电路、集成电路、晶体三极管、电阻

考题 MOS集成电路在安装是主要防止()A、雷击损坏B、加热损坏C、静电损坏D、机械损坏

考题 集成电路中元器件的特点是()。A、集成电路中元器件的性能比较一致,对称性好,适于作差动放大电路B、由于制造三极管比制造电阻器节省硅片,且工艺简单,故集成电路中三极管用得多,电阻用得少C、集成电路中的电容是用PN结的结电容,一般小于100PFD、集成电路中的三极管是低频小功率管E、集成电路中的二极管是高性能管

考题 数字集成电路从器件特性可分为TTL和MOS两大系列。()

考题 固体半导体摄像元件CCD是一种()A、PN结光电二极管电路B、PNP型晶体管集成电路C、MOS型晶体管开关集成电路D、NPN型晶体管集成电路

考题 下列电路属于单极型器件集成的应是().A、TTL集成电路B、HTL集成电路C、MOS集成电路

考题 对于场效应电子器件(场效应管、()),为防止静电击穿或静电寄存,在没有采取防静电措施时不要触摸它。A、MOS集成电路B、HTL集成电路C、TTL集成电路D、分立电路

考题 问答题双极性集成电路中最常用的电阻器和MOS集成电路中常用的电阻都有哪些?

考题 问答题双极、CMO和BiCMOS集成电路器件各有何特点?

考题 问答题双极集成电路工艺中的七次光刻和四次扩散分别指什么?

考题 填空题一般认为MOS集成电路功耗低、(),宜用作数字集成电路。

考题 问答题在双极集成电路制造中,为什么要采用外延和埋层工艺?

考题 判断题集成电路制造工艺中隔离扩散的深度可以不超过外延层的厚度。A 对B 错

考题 单选题在集成电路加工制造中,通常所指前道工艺为()A 集成电路制造(晶圆加工)B 集成电路封装C 集成电路测试D 集成电路设计

考题 问答题Si3N4材料在半导体工艺中能否用作层间介质,为什么?请举两例说明Si3N4在集成电路工艺中的应用。

考题 填空题MOS型集成电路又分为NMOS、PMOS、()型。

考题 问答题PN结隔离的双极集成电路工艺需要几次光刻,每次光刻目的是什么?

考题 问答题在双极集成电路和MOS集成电路工艺中,为什么都要用外延层?

考题 问答题简述MOS集成电路工艺中提高场开启电压的方法?