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对于场效应电子器件（场效应管、（）），为防止静电击穿或静电寄存，在没有采取防静电措施时不要触摸它。

  • A、MOS集成电路
  • B、HTL集成电路
  • C、TTL集成电路
  • D、分立电路

参考答案

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考题 电力场效应管MOSFET在使用时要防止静电击穿。
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考题 关于ESD的描述正确的有：（）。A、空气潮湿易引发静电B、人体是产生静电危害的最主要的静电源之一C、静电应该通过导体加以安全泄放D、静电可以损毁任何一种常用电子器件
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考题 电力晶体管在使用时，要防止（）。A、二次击穿B、静电击穿C、时间久而失效D、工作在开关状态
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考题 防止静电着火事故的措施有（）。A、减少静电的产生；加速静电泄漏，防止静电积聚；消除火花放电；防止存在爆炸性气体B、增加静电产生；加速静电积聚；采用火花防电；防止存在气体C、增加静电产生；加速静电积聚；消除火花放电；防止存在爆炸性气体D、减少静电的产生；防止静电积聚；采用火花放电；防止存在气体
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考题 电力场效应管MOSFET在使用和存放时，要防止（）A、时间久而失效B、二次击穿C、静电击穿D、饱和
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考题 单选题电力场效应晶体管（电力MOSFET）（）现象。A 有二次击穿B 无二次击穿C 防止二次击穿D 无静电击穿
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