考题
vGS=0时,不能工作在放大区的场效应管是( )。
A.结型管B耗尽型MOS管C增强型MOS管
考题
绝缘栅型场效应管的输入电流不为零。()
此题为判断题(对，错)。
考题
IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管,它的全称是()。
A.绝缘栅场效应管B.结型场效应管C.绝缘栅双极晶体管D.双极型功率晶体管
考题
MOS集成门电路是绝缘栅场效应管组成的集成电路。()
此题为判断题(对，错)。
考题
结型场效应管的类型有()。
A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管
考题
绝缘栅场效应管又称为MOS管()
此题为判断题(对，错)。
考题
N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）A、正极性B、负极性C、零D、不能确定
考题
结型场效应管与绝缘栅型场效应管在使用和保管时注意事项相同。
考题
IGBT的基本结构是由“双极型三极管BJT”和“MOS绝缘栅型场效应管”组成的（）电力电子器件。A、结构复杂B、复合C、全控型D、电压驱动式
考题
双栅MOS场效应管因为反馈电容比常规（单栅）MOS场效应管低两个数量级，因而能在甚高频率和超高范围内稳定地工作。
考题
结型场效应管的类型有（）。A、N沟道结型场效应管B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
考题
场效应管的类型有（）。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
考题
MOS场效应管的输入电阻比J型场效应管的输入电阻（）得多。
考题
场效应管按结构分为结型和（）。A、绝缘栅型B、耗尽型C、增强型
考题
场效应管按其结构不同常见的两种类型：（）和绝缘栅场效应管。
考题
IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管，它的全称是（）。A、绝缘栅场效应管B、结型场效应管C、绝缘栅双极晶体管D、双极型功率晶体管
考题
衬底为N型硅片的MOS管就是N沟道MOS场效应管。
考题
UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有（）。A、结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管
考题
绝缘栅型场效应管又分为（）和（），两者区别（）。
考题
绝缘栅型场效应管通常称为（）、存放时应将三个电极（）。
考题
更具结构不同，场效应管分为（）A、N沟道和P沟道场效应管B、NPN和PNP型场效应C、MOS管和MNS管D、结构和绝缘栅场效应管
考题
常用的电力电子器件有：（）。A、双极晶体管B、绝缘栅双极晶体管C、电力MOS场效应管D、门极关断晶闸管E、场控晶闸管
考题
根据结构的不同，场效应管可分为结型场效应管和绝缘栅场效应管。
考题
多选题常用的电力电子器件有：（）。A双极晶体管B绝缘栅双极晶体管C电力MOS场效应管D门极关断晶闸管E场控晶闸管
考题
填空题场效应管按其结构不同常见的两种类型：（）和绝缘栅场效应管。
考题
单选题绝缘栅型场效应管的输入电流（）。A
较大B
较小C
为零D
无法判断
考题
填空题绝缘栅型场效应管通常称为（）、存放时应将三个电极（）。
考题
单选题更具结构不同，场效应管分为（）A
N沟道和P沟道场效应管B
NPN和PNP型场效应C
MOS管和MNS管D
结构和绝缘栅场效应管