考题
在场效应管放大电路中,测得各极电位分别为UD=6V,US=3V,UG=1V,则该场效应管为()MOS管。
A、N沟道耗尽型B、P沟道耗尽型C、P沟道增强型D、N沟道增强型
考题
CMOS反相器是由一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组成的。()
此题为判断题(对，错)。
考题
结型场效应管的类型有()。
A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管
考题
N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）A、正极性B、负极性C、零D、不能确定
考题
结型场效应管可分为（）。A、MOS管和MNS管B、N沟道和P沟道C、增强型和耗尽型D、NPN型和PNP型
考题
CMOS电路是指（）。A、场效应管晶体管组成的电路B、P和N型场效应管互补组成的电路C、P型场效应管组成的电路D、N型场效应管组成的电路
考题
绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种
考题
场效应管有结型和绝缘栅型两类，每一类中又分（）两种。A、N沟道和P沟道B、H沟道和P沟道C、N沟道和H沟道D、Y沟道和H沟道
考题
结型场效应管的类型有（）。A、N沟道结型场效应管B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
考题
场效应管的类型有（）。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
考题
UGS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有（）。A、N沟道结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、P沟道结型管
考题
场效应管的类型按沟道分为（）型和（）型；按结构分有（）型和（）型；按uGS=0时有无导电沟道分为（）型和（）型。
考题
（）具有不同的低频小信号电路模型。A、NPN型管和PNP型管B、增强型场效应管和耗尽型场效应管C、N沟道场效应管和P沟道场效应管D、晶体管和场效应管
考题
MOS场效应管按栅极开路时有无导电沟道分为增强型和（）两种类型。
考题
场效应管按结构分为结型和（）。A、绝缘栅型B、耗尽型C、增强型
考题
场效应管按其结构不同常见的两种类型：（）和绝缘栅场效应管。
考题
衬底为N型硅片的MOS管就是N沟道MOS场效应管。
考题
某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自源极流出，大小为8mA，则该管是（）A、P沟道耗尽型MOS管B、N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管D、N沟道增强型MOS管
考题
根据栅—源电压为零时，导电沟道是否存在，将场效应管分为（）和耗尽型。
考题
场效应管按结构分为（）和（），按沟道分为（）和（）。
考题
场效应管从结构上可分为两大类：（）、MOS；根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：耗尽型、（）。
考题
MOS场效应管按导电沟道划分为N和（）两大类。
考题
根据结构的不同，场效应管可分为结型场效应管和绝缘栅场效应管。
考题
单选题结型场效应管可分为（）。A
MOS管和MNS管B
N沟道和P沟道C
增强型和耗尽型D
NPN型和PNP型
考题
单选题绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为（）A
P沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管B
增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管C
N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管D
N沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管
考题
填空题场效应管按其结构不同常见的两种类型：（）和绝缘栅场效应管。
考题
单选题更具结构不同，场效应管分为（）A
N沟道和P沟道场效应管B
NPN和PNP型场效应C
MOS管和MNS管D
结构和绝缘栅场效应管
