考题
增强型绝缘栅场效应管只有加一定的负栅压,才能形成导电沟道而导通。()
此题为判断题(对，错)。
考题
增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。
A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零
考题
结型场效应管的类型有()。
A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管
考题
增强型场效应管,工作时需要在栅源之间加正向电压()
此题为判断题(对，错)。
考题
某N沟道场效应晶体管测得UGS=0时，漏极电流Id=10mA，则该管的类型为（）。A、耗尽型管B、增强型管C、绝缘栅型D、无法确定
考题
对于绝缘栅场效应管，无论增强型还是耗尽型，只要是N沟道器件，UDS应为负值，衬底接最低电位，UGS越向正值方向增大，硒越小
考题
绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种
考题
场效应管有结型和绝缘栅型两类，每一类中又分（）两种。A、N沟道和P沟道B、H沟道和P沟道C、N沟道和H沟道D、Y沟道和H沟道
考题
结型场效应管的类型有（）。A、N沟道结型场效应管B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
考题
场效应管的类型有（）。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
考题
对于增强型N型沟道MOS管，VGS只能为（）并且只能当VGS（）时，才能形成Id。
考题
结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的PN结反偏。
考题
场效应管按结构分为结型和（）。A、绝缘栅型B、耗尽型C、增强型
考题
使结型场效应管ID=0的临界栅源电压称为（夹断）电压，N沟道JFET的UGS（off）（）0，P沟道JFET的UGS（off）（）0。
考题
当栅源电压等于零时，增强型FET（）导电沟道，结型FET的沟道电阻（）。
考题
根据栅—源电压为零时，导电沟道是否存在，将场效应管分为（）和耗尽型。
考题
场效应管中，Idss表示栅源电压为零时的（）电流。
考题
N沟道JFET的跨导gm是（）A、一个固定值B、随电源电压VDD增加而加大C、随静态栅源电压VGS增加而加大D、随静态栅源电压VGS增加而减小
考题
场效应管从结构上可分为两大类：（）、MOS；根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：耗尽型、（）。
考题
场效应管工作在饱和区时，其漏极电流iD和栅源电压VGS之间呈（）关系。
考题
EMOS管存在导电沟道时，栅源之间的电压必定大于零。
考题
更具结构不同，场效应管分为（）A、N沟道和P沟道场效应管B、NPN和PNP型场效应C、MOS管和MNS管D、结构和绝缘栅场效应管
考题
单选题结型场效应管利用栅源极间所加的（）来改变导电沟道电阻。A
反偏电压B
反向电流C
正偏电压D
正向电流
考题
单选题绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为（）A
P沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管B
增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管C
N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管D
N沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管
考题
单选题场效应管的漏极电流是受以下哪种参数控制的。（）A
栅极电流B
栅源电压C
漏源电压D
栅漏电压
考题
单选题N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）A
正极性B
负极性C
零D
不能确定
考题
单选题更具结构不同，场效应管分为（）A
N沟道和P沟道场效应管B
NPN和PNP型场效应C
MOS管和MNS管D
结构和绝缘栅场效应管
