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20、pn结空间电荷区形成的自建电场的方向是从p指向n。


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考题 PN结加上反向电压时,其PN结的宽度(或空间电荷区)会()。 A、变窄B、变宽C、不变

考题 PN结附近形成的内电场方向是由N区指向P区,它阻止多子扩散,起到了限制电流通过的作用。() 此题为判断题(对,错)。

考题 PN结P区的电位高于N区的电位称为(),简称正偏,此时电流从P区流到N区,PN结呈低阻性,所以电流大。A、加反向电压B、加反向电流C、加正向电压D、加正向电流

考题 二极管的正极与PN结的P区连接,负极与PN结的N区相连。

考题 关于PN结的单向导电原理中,以下哪个描述正确()A、空间电荷区有利于扩散运动,不利于漂移运动B、空间电荷区有利于漂移运动,不利于扩散运动C、当PN结两侧加正向电压时,空间电荷区变厚D、当PN结两侧加反向电压时,空间电荷区变薄

考题 PN结加正向电压是指(),当PN所承受正向电压大于起始电压时,PN结导通A、P区接电源正极B、P区接电源负极C、N区接电源正极D、N区接电源负极

考题 PN结可看成一个电容、空间电荷区域相当于介质、P区和N区则为导体。()

考题 N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。

考题 PN结中P区的多数载流子是(),N区的多数载流子是()。

考题 PN结内电场方向为P→N。

考题 当PN结及附近被光照时,若光子能量大于材料禁带宽度将会产生电子空穴对,在内电场作用下,电子、空穴分别漂移到()和(),使P端电势()N端电势(),以下正确的是()A、P区;N区;升高;降低B、N区;P区;升高;降低C、N区;P区;降低;升高D、P区;N区;降低;升高

考题 未加外部电压时,PN结中电流从P区流向N区。

考题 PN结反偏时,内电场与外电场的方向(),空间电荷区变(),有利于少数载流子的漂移运动,阻碍多数载流子的扩散运动,此时PN结呈现的电阻大,PN结处于截止状态。

考题 PN结外加正向电压时其空间电荷区宽度将(),PN结中()电流占优势。

考题 PN结正向偏置时,空间电荷区将变()。

考题 PN结形成后,空间电荷区由()构成。A、价电子B、自由电子C、空穴D、杂质离子

考题 使PN结正偏的方法是:将P区接()电位,N区接()电位。

考题 PN结正偏是指P区电位()N区电位。

考题 使PN结正偏的方法是:将P区接()电位,N区接()电位。正偏时PN结处于()状态,反偏时PN结处于()状态。

考题 PN结具有单向导电性,其导电方向是从N区到P区。

考题 N型半导体,P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。

考题 填空题在PN结的空间电荷区中,P区一侧带()电荷,N区一侧带()电荷。内建电场的方向是从()区指向()区。

考题 判断题pn结反向偏置时,外加电压在势垒区产生的电场和自建电场的方向是一致的,加强了势垒区的电场。导致势垒降低,势垒区宽度变小。A 对B 错

考题 判断题PN结内部的电场方向总是指向P区。A 对B 错

考题 问答题PN结的空间电荷区是如何形成的?

考题 单选题当半导体PN结受光照射时,光子在()激发出电子-空穴对。在自建电场的作用下,电子流向N区,空穴流向P区,使P区和N区两端产生电位差,P端为正,N端为负,这种效应称为光生伏特效应。A P区;B N区;C 结区;D 中间区。

考题 判断题未加外部电压时,PN结中电流从P区流向N区。A 对B 错

考题 单选题pn结正向偏置时,外加电场削弱势垒区内自建电场,因而势垒区内扩散占优势使p区和n区有少子注入,形成正向()A 复合电流B 漂移电流C 扩散电流D 漏电流