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PN结中P区的多数载流子是（），N区的多数载流子是（）。

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考题 PN结加正向电压时,其正向电流是由()的。 A、多数载流子扩散而成B、多数载流子漂移而成C、少数载流子扩散而成D、少数载流子漂移而成
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考题 PN结是()形成的。 A、将P型和N型半导体掺杂B、在交界面上，多数载流子分别向对方扩散C、在交界面上，少数载流子分别向对方扩散D、多数载流子与少数载流子相互扩散
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考题 当PN结两端加正向电压时,在PN结内参加导电的是()。 A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子又有少数载流子
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考题 对PN结加反偏电压时,参与导电的是()。 A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子，也有少数载流子
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考题 PN结的宽度稳定后（）。A、载流子停止运动B、只有多数载流子的扩散运动C、扩散与漂移运动达到动态平衡
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考题 当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是（）A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、本征载流子
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考题 N型半导体中多数载流子是（），少数载流子是（）。
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考题 N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。
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考题 当PN结两端加正向电压时，那么参加导电的主要是（）。A、不一定B、少数载流子C、既有多数载流子，又有少数载流子D、多数载流子
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考题 N型半导体中，多数载流子是（），P型半导体中，多数载流子是（）。A、正离子B、自由电子C、空穴D、负离子E、质子F、中子
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考题 P型半导体中的多数载流子是（），N型半导体中的多数载流子是电子。
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考题 半导体中有（）和（）两种载流子。N型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）P型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）。
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考题 光生电流包括（）。A、耗尽区内的光生载流子形成的电流B、P区的光生载流子形成的电流C、N区的光生载流子形成的电流D、无外加电压和光子入射时，PN结输出电流
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考题 PN结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的（）运动和少数载流子的（）运动。
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考题 当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Is将增大，是因为此时PN结内部的（）。A、多数载流子浓度增大B、少数载流子浓度增大C、多数载流子浓度减小D、少数载流子浓度减小
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考题 N型半导体中的多数载流子是（），少数载流子是（）。
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考题 PN结反偏时，内电场与外电场的方向（），空间电荷区变（），有利于少数载流子的漂移运动，阻碍多数载流子的扩散运动，此时PN结呈现的电阻大，PN结处于截止状态。
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考题 对PN结施加反向电压时，参与导电的是（）A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子又有少数载流子
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考题 N型半导体中多数载流子是（），P型半导体中多数载流子是（）。
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考题 为什么PN结具有单向导电性（）。A、PN结内电场对多数载流子的扩散运动起有利作用，正向串联在电路中时，因叠加外正电场与内电场方向一致，增强内电场作用，多数载流子顺利通过在电路中形成电流，正向导通B、PN结内电场对多数载流子的扩散起阻挡作用，正向串联在电路中时，因叠加外正电场与内电场方向相反，削弱内电场阻挡作用，使多数载流子顺利通过阻挡层，在电路中形成电流，正向导通C、PN结内电场对多数载流子的扩散运动起有利作用，反向串联在电路时，因叠加外电场与内电场方向相反，削弱内电场作用，使多数载流子受到阻挡而无法通过，从而起反向截止作用D、PN结内电场对多数载流子的扩散运动起有利作用，反向串联在电路时，因叠加外电场与内电场方向一致，增强内电场作用，使多数载流子受到阻挡而无法通过，从而起反向截止作用
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考题 PN结反向漏电流是由（）产生的。A、电子B、空穴C、少数载流子D、多数载流子
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考题 在NP结处发生多数载流子扩散运行，少数载流子漂移运动，结果形成了空间电荷区。
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考题 N型半导体，P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。
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考题 单选题简述光生伏特效应中正确的是（）A 用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结；B p、n区都产生电子—空穴对，产生平衡载流子；C 平衡载流子破坏原来的热平衡；D 非平衡载流子在内建电场作用下，n区空穴向p区扩散，p区电子向n区扩散；若p-n结开路，在结的两边积累电子—空穴对，产生开路电压。
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考题 填空题PN结中P区的多数载流子是（），N区的多数载流子是（）。
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考题 填空题PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子空穴向（）区进行扩散，N型半导体中的多数载流子自由电子向（）区进行扩散。
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考题 单选题当PN结两端加正向电压时，那么参加导电的主要是（）。A 不一定B 少数载流子C 既有多数载流子，又有少数载流子D 多数载流子
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