网友您好， 请在下方输入框内输入要搜索的题目：

题目内容 （请给出正确答案）

15、为减小BJT集电结势垒区渡越时间，可通过增加集电区掺杂浓度，降低集电极电阻率，减小击穿电压。（）

参考答案和解析
错误
更多 “15、为减小BJT集电结势垒区渡越时间，可通过增加集电区掺杂浓度，降低集电极电阻率，减小击穿电压。（）” 相关考题
考题 若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时,使该三极管()。 A、集电极电流减小B、集电极与发射极电压VCE上升C、集电极电流增大
查看答案
考题 晶体管放大器在有信号输入时,晶体管基极电压和电流增加,集电极电压和电流变化的情况是( )。 A、电压和电流均增加B、电压和电流均减小C、电压增加、电流减小D、电压减小、电流增加
查看答案
考题 三极管哪个区的掺杂浓度最高() A、基区B、发射区C、集电区D、不确定
查看答案
考题 关于BJT的结构特点说法错误的是()。A、基区很薄且掺杂浓度很低B、发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度C、基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度D、集电区面积大于发射区面积
查看答案
考题 三极管BJT制作时,通常基区掺杂浓度低;发射区的杂质浓度则很高。()
查看答案
考题 提高具有强垂直分量极不均匀电场工频沿面闪络电压的方法为()。 A.降低电极的电位，增大比电容、减小电极表面粗糙度B.增大表面电阻率、增加绝缘厚度、减小比电容C.降低介质介电常数、减小表面电阻率、减小比电容D.降低电极的电位、增大绝缘厚度、增大介质介电常数
查看答案
考题 已知原电池反应：Cu(s)+Cl2(g)=Cu2+(aq)+2Cl-(aq)。当增大Cl2(g)压力，原电池的电动势变_______;当增大Cu2+(aq)浓度，原电池的电动势变__________。A、增加，减小B、增加，增加C、减小，增加D、减小，减小
查看答案
考题 晶体三极管放大作用需满足的条件有()。 A.内部条件，基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度B.内部条件，基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度C.外部条件，发射结正偏，集电结反偏D.外部条件，发射结反偏。集电结反偏
查看答案
考题 若三极管的集电结反偏、发射结正偏，则当基极电流减少时，使该三极管（）A、集电极电流减小B、集电极与发射极电压VCE上升C、集电极电流要增大D、集电极电流不变
查看答案
考题 海拔高度增加，空气稀薄、密度减小，击穿电压降低。
查看答案
考题 从三极管的特性曲线上看，工作在截止区的三极管其特点是（）。A、发射结和集电结上都是反向电压，集电极电流近似为零B、发射结上为反向电压，集电结上为正向电压，集电极电流近似为零
查看答案
考题 解决放大器截止失真的方法是（）。A、增大上偏电阻B、减小集电极电阻RCC、减小上偏电阻D、降低工作电压
查看答案
考题 三极管具有（）的特点。A、发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度B、基区非常薄C、集电区掺杂浓度较小，集电结的面积比发射结的面积大D、以上三项
查看答案
考题 晶体三极管放大作用需满足的条件有（）。A、内部条件，基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度B、内部条件，基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度C、外部条件，发射结正偏，集电结反偏D、外部条件，发射结反偏。集电结反偏
查看答案
考题 当集电结空间电荷限制效应是限制晶体管大电流特性的主要原因时，（）可以提高晶体管最大工作电流。A、增大基区掺杂浓度B、减小基区宽度C、减小发射结面积D、增大集电区杂质浓度
查看答案
考题 如果晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏，当基极电流增大时，将使晶体三极管（）。A、集电极电流减小B、集电极电压Uc上升C、集电极电流增大
查看答案
考题 在共发射极放大电路中，减小基极电流时，三极管的集电极电流和电位将（）。A、集电极电流减小，集电极电位升高B、集电极电流减小，集电极电位降低C、集电极电流增大，集电极电位升高D、集电极电流增大，集电极电位降低
查看答案
考题 电嘴的温度低于自洁温度，将导致（）.A、击穿电压减小，混合气可能早燃B、击穿电压增加，产生积炭，电火花强度减弱C、击穿电压减小，电火花强度增加D、击穿电压增加，电火花强度增大
查看答案
考题 为什么电嘴的温度不能低于自洁温度（）A、击穿电压减小，混合气可能早燃B、击穿电压增加，产生积炭，电火花强度减弱C、击穿电压减小，电火花强度增大D、击穿电压增加，电火花强度增大
查看答案
考题 以下属于三极管放大的外部条件是（）A、发射区掺杂浓度高B、集电结反偏C、基区薄且掺杂浓度低D、集电结面积大
查看答案
考题 单选题如果晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏，当基极电流增大时，将使晶体三极管（）。A 集电极电流减小B 集电极电压Uc上升C 集电极电流增大
查看答案
考题 填空题基区穿通是指当集电结反向电压增加到使耗尽区将（）全部占据时，集电极电流急剧增大的现象。防止基区穿通的措施是（）基区宽度、（）基区掺杂浓度。
查看答案
考题 判断题pn结反向偏置时，外加电压在势垒区产生的电场和自建电场的方向是一致的，加强了势垒区的电场。导致势垒降低，势垒区宽度变小。A 对B 错
查看答案
考题 填空题PN结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（），内建电场的最大值就越（），内建电势Vbi就越（），反向饱和电流I0就越（），势垒电容CT就越（），雪崩击穿电压就越（）。
查看答案
考题 填空题PN结的掺杂浓度越高，雪崩击穿电压越（）；结深越浅，雪崩击穿电压就越（）。
查看答案
考题 填空题势垒电容反映的是PN结的（）电荷随外加电压的变化率。PN结的掺杂浓度越高，则势垒电容就越（）；外加反向电压越高，则势垒电容就越（）。
查看答案
考题 判断题海拔高度增加，空气稀薄、密度减小，击穿电压降低。A 对B 错
查看答案
考题 名词解释题集电结耗尽区渡越时间
查看答案
热门标签
最新试卷