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硅晶圆的尺寸增大，为了保证硅圆片质量，圆片厚度相应变薄，给圆片切割带来了难度。
参考答案和解析
晶向;厚度;平行度;翘度
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考题
注射用安瓿的处理工艺是A．灌水蒸煮→洗涤→切割→圆口→灭菌B．圆口→切割→灌水蒸煮→洗涤→干燥→灭菌C．切割→圆口→干燥→洗涤→灭菌D．洗涤→灌水蒸煮→切割→圆口→干燥E．切割→圆口→灌水蒸煮→洗涤→干燥→灭菌
考题
中药注射剂所用安瓿的处理工艺为A.圆口→切割→灌水蒸煮→洗涤→干燥→灭菌B.灌水蒸煮→切割→洗涤→圆口→灭菌C.切割→圆口→灌水蒸煮→洗涤→干燥→灭菌D.洗涤→切割→圆口→灌水蒸煮→干燥E.切割→圆口→干燥→洗涤→灭菌
考题
应用Worth四孔灯检查时,下面说法正确的是()。
A.底圆为偏红色时，提示右眼为主视眼B.右眼放绿色滤光片，左眼放红色滤光片C.底圆为两个圆时提示双眼有抑制D.底圆为黄色时提示有斜视的可能
考题
对RTP来说，很难在高温下处理大直径晶圆片而不在晶圆片边缘造成热塑应力引起的滑移。分析滑移产生的原因。如果温度上升速度加快后，滑移现象变得更为严重，这说明晶圆片表面上的辐射分布是怎样的？
考题
注射用安瓿的处理工艺是（）A、灌水蒸煮→洗涤→切割→圆口→灭菌B、圆口→切割→灌水蒸煮→洗涤→干燥→灭菌C、切割→圆口→干燥→洗涤→灭菌D、洗涤→灌水蒸煮→切割→圆口→干燥E、切割→圆口→灌水蒸煮→洗涤→干燥→灭菌
考题
中药注射剂所用安瓿的处理工艺为（）A、圆口→切割→灌水蒸煮→洗涤→干燥→灭菌B、灌水蒸煮→切割→洗涤→圆口→灭菌C、切割→圆口→灌水蒸煮→洗涤→干燥→灭菌D、洗涤→切割→圆口→灌水蒸煮→干燥E、切割→圆口→干燥→洗涤→灭菌
考题
集成电路的主要制造流程是（）A、硅抛光片——晶圆——芯片——集成电路——成品测试B、硅抛光片——芯片——晶圆——成品测试——集成电路C、晶圆——硅抛光片——芯片——成品测试——集成电路D、硅抛光片——芯片——晶圆——集成电路——成品测试
考题
注射剂容器处理方法是（）A、检查-切割-圆口-安瓿的洗涤-干燥或灭菌B、检查-圆口-切割-安瓿的洗涤-干燥或灭菌C、检查-安瓿的洗涤-切割-圆口-干燥或灭菌D、切割-圆口-检查-安瓿的洗涤-干燥或灭菌E、切割-圆口-安瓿的洗涤-检查-干燥或灭菌
考题
单选题集成电路的主要制造流程是（）A
硅抛光片——晶圆——芯片——集成电路——成品测试B
硅抛光片——芯片——晶圆——成品测试——集成电路C
晶圆——硅抛光片——芯片——成品测试——集成电路D
硅抛光片——芯片——晶圆——集成电路——成品测试
考题
单选题设置变半径（）是指沿指定边缘，按可变半径对实体或片体进行倒圆，倒圆面通过指定的陡峭边缘，并与倒圆边缘邻接的一个面相切。A
边倒圆B
软倒圆C
面倒圆D
倒斜角
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