考题
三极管的发射区和集电区是同类型半导体,因此,发射极和集电极是可以互换使用的。()
此题为判断题(对，错)。
考题
NPN型晶体管的发射区是()型半导体,集电区是()型半导体,基区是()型半导体。
考题
晶体管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体(N型的或P型的)构成,故E极和C极可以互换使用。()
此题为判断题(对，错)。
考题
下列关于半导体的说法正确的是()。
A、P型半导体带正电，N型半导体带负电B、稳压二极管在稳压时工作在反向击穿状态C、整流二极管和稳压二极管可以互换使用D、以上说法都是错误的
考题
三极管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体构成的，故发射极和集电极可以互换使用。
考题
PNP三极管工作特点是（）.A、发射区发射电子，集电区收集电子B、发射区发射空穴，集电区收集电子C、发射区发射电子，集电区收集空穴D、发射区发射空穴，集电区收集空穴
考题
体管分为三层分别为：发射区、基区和（）。A、集电区B、收集区C、放大区D、扩张区
考题
按照半导体的结构类型，可以将三极管划分为NPN型和（）型。A、PPNB、NPIC、PNPD、NIP
考题
按半导体的组合方式不同，可将其分为NPN型管和（）型管。A、PPNB、NNPC、PNPD、NPP
考题
（）都不能单独构成半导体器件，PN结才是构成半导体器件的基本单元。A、本征半导体B、P型半导体C、N型半导体D、NPN型半导体
考题
三极管的集电区、发射区用的是同一种杂质半导体，因此，可将三极管的集电极和发射极可以互换使用。
考题
晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体材料（N型或P型）构成的，所发射极和集电极可以互换。
考题
三极管是有三层半导体材料组成的，有三个区域，中间的一层为（）A、基区B、栅区C、集电区D、发射区
考题
晶体管的内部结构分为三个区，即发射区、基区和集电区；两个结为发射和集电结。
考题
晶体管热噪声主要存在于（）电阻内。A、基区B、发射区C、集电区D、发射区和集电区
考题
无论是NPN型管还是PNP型管，它们内部均含有三个区，即发射区、基区和（）。
考题
由于发射区和集电区的掺杂浓度以及面积不同，因此三极管的集发射与电极极不能互换使用。
考题
PNP型或NPN型晶体管，其发射区和集电区均为同类型半导体（N型或P型）。所以在实际使用中发射极与集电极（）。A、可以调换使用B、不可以调换使用C、PNP型可以调换使用，NPN型则不可以调换使用
考题
三极管有（）型和（）型两种结构，三极管中集电区与基区之间的PN结称为（）结，基区与发射区之间的PN结成为（）结。
考题
晶体管内部由3层半导体材料构成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别称为发射极和集电极。
考题
晶体三极管的发射区和集电区由同一类半导体（N型或P型）构成，所以发射极和集电极可以相互调换使用。
考题
三极管最薄的区是（）。A、发射区B、集电区C、基区
考题
半导体三极管工作过程中（）。A、发射区杂质浓度大于基区杂质浓度；B、发射区杂质浓度小于基区杂质浓度；C、发射区杂质浓度等于基区杂质浓度；D、发射区杂质浓度大于集电区杂质浓度。
考题
单选题晶体管是由单层半导体材料组成的。有三个区域，中间的一层为（）。A
基区B
栅区C
集电区D
发射区
考题
填空题晶体管包含三个区：集电区，（）和发射区。
考题
判断题标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。A
对B
错
