考题
晶体三极管由()PN结组成,分成基区、发射区和集电区。
A、一个B、两个C、三个D、四个
考题
三极管哪个区的掺杂浓度最高()
A、基区B、发射区C、集电区D、不确定
考题
三极管的发射区和集电区是同类型半导体,因此,发射极和集电极是可以互换使用的。()
此题为判断题(对，错)。
考题
三极管BJT制作时,通常基区掺杂浓度低;发射区的杂质浓度则很高。()
考题
NPN型晶体管的发射区是()型半导体,集电区是()型半导体,基区是()型半导体。
考题
晶体管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体(N型的或P型的)构成,故E极和C极可以互换使用。()
此题为判断题(对，错)。
考题
三极管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体构成的，故发射极和集电极可以互换使用。
考题
PNP三极管工作特点是（）.A、发射区发射电子，集电区收集电子B、发射区发射空穴，集电区收集电子C、发射区发射电子，集电区收集空穴D、发射区发射空穴，集电区收集空穴
考题
半导体三极管的三个极是发射区（e）、基极（）、集电极（c）。A、bB、hC、aD、g
考题
在晶体三极管中掺杂浓度最高的区域是（）。A、基区B、集电区C、发射区D、饱和区
考题
晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体材料（N型或P型）构成的，所发射极和集电极可以互换。
考题
三极管是有三层半导体材料组成的，有三个区域，中间的一层为（）A、基区B、栅区C、集电区D、发射区
考题
晶体三极管是由（）个PN结组成，分成基区、发射区、集电区.
考题
下列关于晶体三极管说法证确的是（）。A、发射区与基区交界处的PN结为发射结B、基区与集电区交界处的PN结为发射结C、发射区与基区交界处的PN结为集电结D、发射区与集电区交界处的PN结为集电结
考题
叙述晶体三极管电流的传输过程（）。A、发射区向基区注入载流子过程B、少数载流子，在基区扩散与复合过程C、集电区收集载流子的过程D、基区向发射区注入载流子过程
考题
晶体三极管从结构上划分，有如下：（）。A、发射区B、基区C、集电区D、放大区
考题
由于发射区和集电区的掺杂浓度以及面积不同，因此三极管的集发射与电极极不能互换使用。
考题
三极管工作在放大状态时，发射区是（）载流子，基区则是作为输送和控制载流子的基地，集电区是（）载流子的。
考题
三极管有（）型和（）型两种结构，三极管中集电区与基区之间的PN结称为（）结，基区与发射区之间的PN结成为（）结。
考题
半导体三极管用作开关元件时工作在哪两个区域（）A、饱和区和放大区B、放大区和截止区C、饱和区和截止区D、集电区和发射区
考题
晶体三极管的发射区和集电区由同一类半导体（N型或P型）构成，所以发射极和集电极可以相互调换使用。
考题
三极管最薄的区是（）。A、发射区B、集电区C、基区
考题
半导体三极管工作过程中（）。A、发射区杂质浓度大于基区杂质浓度；B、发射区杂质浓度小于基区杂质浓度；C、发射区杂质浓度等于基区杂质浓度；D、发射区杂质浓度大于集电区杂质浓度。
考题
三极管内部由三层半导体材料组成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别为发射结和（）。A、集中结B、集成结C、集电结D、集合结
考题
三极管有三个PN结和三个区—发射区、集电区、基区。
考题
单选题半导体三极管用作开关元件时工作在哪两个区域（）A
饱和区和放大区B
放大区和截止区C
饱和区和截止区D
集电区和发射区
考题
填空题晶体三极管是由（）个PN结组成，分成基区、发射区、集电区.
