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在晶体三极管中掺杂浓度最高的区域是()。
- A、基区
- B、集电区
- C、发射区
- D、饱和区
参考答案
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考题
晶体三极管放大作用需满足的条件有()。
A.内部条件,基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度B.内部条件,基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度C.外部条件,发射结正偏,集电结反偏D.外部条件,发射结反偏。集电结反偏
考题
晶体三极管放大作用需满足的条件有()。A、内部条件,基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度B、内部条件,基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度C、外部条件,发射结正偏,集电结反偏D、外部条件,发射结反偏。集电结反偏
考题
关于反向饱和电流密度,以下说法中错误的是()A、p-n结两边掺杂浓度相差较大时,反向饱和电流密度主要由掺杂浓度较低的一侧贡献。B、在一定温度下,与Si材料相比,GaAs具有较小的有效态密度和较大的禁带宽度,所以GaAs可获得更低的反向饱和电流密度。C、p-n结两边掺杂浓度越高,越有利于降低反向饱和电流密度。D、与半导体中的载流子寿命、扩散长度、导带价带的有效态密度、掺杂浓度以及禁带宽度有关。赋予他们恰当值可以得到较大的VOC。
考题
单选题污染物自烟囱排出后,在何处浓度最高?( )A
距离烟囱越近浓度越高B
烟囱高度的1/4处浓度最高C
烟波着陆点至烟囱之间的区域浓度最高D
烟波着陆点处浓度最高E
各处浓度没有大的差别
考题
问答题埋层有什么作用?说明埋层与衬底掺杂类型、掺杂浓度之间的关系。
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