网友您好， 请在下方输入框内输入要搜索的题目：

题目内容 （请给出正确答案）

【单选题】P沟道耗尽型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置（)

A．vGS可正、可负、可为零,vDS为负;

B．vGS可正、可负、可为零,vDS为正;

C．vGS为正,vDS可正、可负、可为零;

D．可负、可为零。

参考答案和解析
DF
更多 “【单选题】P沟道耗尽型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置（)A．vGS可正、可负、可为零,vDS为负;B．vGS可正、可负、可为零,vDS为正;C．vGS为正,vDS可正、可负、可为零;D．可负、可为零。” 相关考题
考题 场效应管的工作原理是() A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压
查看答案
考题 按导电沟道不同,电力MOSFET可分为哪两项?( ) A、耗尽型B、增强型C、P沟道D、N沟道
查看答案
考题 场效应晶体管是用()控制漏极电流的。A、栅源电流B、栅源电压C、漏源电流D、漏源电压
查看答案
考题 功率MOSFET的极限参数指的是( )。A、最大漏极电流B、最小漏极电流C、最大许用漏-源电压D、最小许用漏-源电压
查看答案
考题 增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。 A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零
查看答案
考题 电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。
查看答案
考题 N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）A、正极性B、负极性C、零D、不能确定
查看答案
考题 使用功率MOSFET时要注意（）。A、防止静电击穿B、防止二次击穿C、MOSFET不能承受反压D、栅源过电压保护
查看答案
考题 结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。
查看答案
考题 耗尽型场效应管在uGS=0时也会在漏、源极之间形成导电沟道。
查看答案
考题 功率MOSFET对驱动电路的要求是（）。A、驱动信号的前后沿陡峭B、驱动信号的电压应高于开启电压C、信号电压应低于栅源击穿电压D、截止时应加小于栅源击穿电压的电压
查看答案
考题 使结型场效应管ID=0的临界栅源电压称为（夹断）电压，N沟道JFET的UGS（off）（）0，P沟道JFET的UGS（off）（）0。
查看答案
考题 当栅源电压等于零时，增强型FET（）导电沟道，结型FET的沟道电阻（）。
查看答案
考题 场效应管是通过（）改变漏极电流的。A、栅极电流B、栅源电压C、漏源电压
查看答案
考题 根据栅—源电压为零时，导电沟道是否存在，将场效应管分为（）和耗尽型。
查看答案
考题 N沟道JFET的跨导gm是（）A、一个固定值B、随电源电压VDD增加而加大C、随静态栅源电压VGS增加而加大D、随静态栅源电压VGS增加而减小
查看答案
考题 场效应管从结构上可分为两大类：（）、MOS；根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：耗尽型、（）。
查看答案
考题 场效应管工作在饱和区时，其漏极电流iD和栅源电压VGS之间呈（）关系。
查看答案
考题 JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变（）的宽窄，从而控制漏极电流的大小；而MOSFET则是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面（）的多少，从而控制漏极电流的大小。
查看答案
考题 EMOS管存在导电沟道时，栅源之间的电压必定大于零。
查看答案
考题 利用栅源电压控制漏极、源极之间的导电沟道的形成或消失，可以将MOS管作为开关器件使用。
查看答案
考题 单选题场效应管的漏极电流是受以下哪种参数控制的。（）A 栅极电流B 栅源电压C 漏源电压D 栅漏电压
查看答案
考题 填空题P沟道MOSFET的衬底是（）型半导体，源区和漏区是（）型半导体，沟道中的载流子是（）。
查看答案
考题 多选题功率MOSFET的极限参数指的是（）。A最大漏极电流B最小漏极电流C最大许用漏-源电压D最小许用漏-源电压
查看答案
考题 填空题由于源、漏区的掺杂浓度（）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向（）区扩展，使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（）。
查看答案
考题 单选题N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）A 正极性B 负极性C 零D 不能确定
查看答案
考题 填空题为了避免短沟道效应，可采用按比例缩小法则，当MOSFET的沟道长度缩短一半时，其沟道宽度应（），栅氧化层厚度应（），源、漏区结深应（），衬底掺杂浓度应（）。
查看答案
考题 填空题N沟道MOSFET的衬底是（）型半导体，源区和漏区是（）型半导体，沟道中的载流子是（）。
查看答案
热门标签
最新试卷