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如果盛胶的容器长时间开口会使光刻胶中的溶剂挥发，导致其粘度会很快改变。

参考答案和解析
在侧面靠墙
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考题 在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？
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考题 光刻胶主要由（）等不同材料混合而成的。A、树脂B、感光剂C、HMDSD、溶剂E、PMMA
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考题 汽提塔压力过高，溶剂的挥发性小，不利于（），若压力过高，会导致（）等事故。
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考题 解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？
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考题 在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。A、CA光刻胶对深紫外光吸收小B、CA光刻胶将吸收的光子能量发生化学转化C、CA光刻胶在显影液中的可溶性强D、有较高的光敏度E、有较高的对比度
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考题 以下哪几种情况会造成桔皮（）A、所用的溶剂挥发速度太快B、涂料的粘度太高C、涂料雾化不好D、喷涂过厚，距太近
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考题 在涂料成膜期间，如果溶剂挥发得太快，会影响涂层质量。
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考题 渗透剂的粘度值如果太高，则渗透速度就减慢，如果粘度太低，缺陷中的渗透剂可能大量（），会掩盖各种缺陷。A、挥发B、回渗C、不能被显像剂显像D、干在缺陷内
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考题 阴性植物如果强光直射，则会使叶片焦黄枯萎长时间会造成死亡。
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考题 使用饱和盐水钻进时，如果不及时补充护胶剂（如Na-CMC），其粘度、切力会（）。A、下降B、上升C、不变D、不确定
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考题 例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。
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考题 晶片经过显影后进行坚膜，坚膜的主要作用有（）。A、除去光刻胶中剩余的溶剂B、增强光刻胶对晶片表面的附着力C、提高光刻胶的抗刻蚀能力D、有利于以后的去胶工序E、减少光刻胶的缺陷
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考题 为保护设备安全，设备清洁时的正确方法（）.A、防止清洁中碰触设备面板的开关与按钮B、防止水和挥发性溶剂滴及设备内部C、不必太在意，因为设备运行的温度较高很快会挥发的D、以上皆对
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考题 名词解释题光刻胶
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考题 问答题什么是负胶分辨率的限制，哪种胶应用在亚微米光刻胶中？
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考题 问答题给出硅片制造中光刻胶的两种目的。
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考题 问答题简述什么是光刻胶、光刻胶的用途、光刻对光刻胶的要求。
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考题 问答题什么是正光刻胶，负光刻胶？
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考题 问答题解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？
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考题 问答题解释硬烘烤的目的。光刻胶硬烘烤过度和不足会产生什么问题？
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考题 单选题渗透剂的粘度值如果太高，则渗透速度就减慢，如果粘度太低，缺陷中的渗透剂可能大量（），会掩盖各种缺陷。A 挥发B 回渗C 不能被显像剂显像D 干在缺陷内
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考题 问答题光刻胶正胶和负胶的区别是什么？
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考题 问答题例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。
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考题 判断题如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶，则这种光刻胶为正胶。A 对B 错
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考题 判断题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A 对B 错
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考题 问答题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶？
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考题 问答题如果光刻胶对光的吸收过多侧墙会怎样？
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考题 问答题在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？
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