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4、掺杂浓度和温度对μ的影响，本质上是对载流子 的影响。

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考题 在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于();当杂质浓度一定时,少数载流子的浓度与()有关。 A、掺杂种类B、掺杂浓度C、温度D、电压
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考题 杂质半导体中的多数载流子浓度取决于() A、掺杂浓度B、工艺C、温度D、晶体缺陷
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考题 用体积百分数表示气体浓度时，温度和大气压对浓度的影响是A、温度和大气压变化对浓度无影响B、温度对浓度有影响，大气压对浓度无影响C、温度对浓度无影响，大气压对浓度有影响D、温度对浓度影响大，大气压对浓度影响小E、温度对浓度影响小，大气压对浓度影响大
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考题 在掺杂半导体中多数载流子的浓度取决于()。 A、温度B、杂质浓度C、原本征半导体的纯度
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考题 在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于() ,而多数载流子的浓度则与()有很大关系。 A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷E.空穴F.自由电子
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考题 Arrhenius方程定量描述，正确的是（）A、湿度对反应速度的影响B、温度对反应速度的影响C、光线对反应速度的影响D、氧气浓度对反应速度的影响E、pH值对反应速度的影响
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考题 在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体缺陷
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考题 酶的发酵过程中，温度和氧气对其影响较大，而PH影响较小，所以应重点控制温度和氧气浓度。
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考题 迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。（）
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考题 晶体三极管的基区一般做得很薄，且掺杂很轻，多数载流子的浓度很高。
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考题 影响化学反应平衡的因素有（）、（）、（），而（）对化学平衡没有影响。A、催化剂；浓度；压力；温度B、浓度；压力；温度；催化剂C、温度；催化剂；浓度；压力D、压力；温度；催化剂；浓度
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考题 半导体材料的电阻率与载流子浓度有关，同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率（）A、越高B、不确定C、越低D、不变
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考题 掺杂半导体中多数载流子的浓度主要取决于（），它与（）几乎没有关系；而少数载流子的浓度则主要与（）有关，因而它的大小与（）有关
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考题 在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） ，而多数载流子的浓度则与（）有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体缺陷E、空穴F、自由电子
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考题 当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Is将增大，是因为此时PN结内部的（）。A、多数载流子浓度增大B、少数载流子浓度增大C、多数载流子浓度减小D、少数载流子浓度减小
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考题 杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。A、温度B、掺杂工艺C、掺杂浓度D、晶格缺陷
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考题 本征硅中掺入5价元素的原子，则多数载流子是（），掺杂越多，则其数量越（）；相反少数载流子是（），掺杂越多，则其数量越（）。
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考题 在杂质半导体中，少数载流子的浓度与（）有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体管缺陷
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考题 半导体中多数载流子的浓度是由掺杂浓度决定的
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考题 杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的，少数载流子是由（）产生的。
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考题 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体管缺陷
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考题 在杂质半导体中，少数载流子的浓度取决于（）A、温度B、掺杂元素C、掺杂浓度D、掺杂工艺
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考题 在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（）。A、晶体缺陷B、温度C、杂质浓度D、掺杂工艺
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考题 单选题用体积百分数表示气体浓度时，温度和大气压对浓度的影响是（）。A 温度和大气压变化对浓度值无影响B 温度对浓度有影响，大气压对浓度无影响C 温度对浓度无影响，大气压对浓度有影响D 温度对浓度影响大，大气压对浓度影响小E 温度对浓度影响小，大气压对浓度影响大
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考题 单选题杂质半导体中少数载流子浓度（）A 与掺杂浓度和温度无关B 只与掺杂浓度有关C 只与温度有关D 与掺杂浓度和温度有关
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考题 单选题半导体材料的电阻率与载流子浓度有关，同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率（）A 越高B 不确定C 越低D 不变
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考题 单选题用体积百分数表示气体浓度时，温度和压力对浓度的影响是（）A 温度和大气压变化同时影响浓度数值B 温度变化影响浓度数值，大气压变化不影响浓度数值C 温度变化不影响浓度数值，大气压变化影响浓度数值D 温度和大气压变化都不影响浓度数值E 大气压变化都影响浓度数值，但是影响的程度不同
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考题 判断题酶的发酵过程中，温度和氧气对其影响较大，而PH影响较小，所以应重点控制温度和氧气浓度。A 对B 错
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