考题
晶体管的发射区的作用是向基区发射自由电子,集电区的作用是收集这些自由电子。()
此题为判断题(对，错)。
考题
三极管哪个区的掺杂浓度最高()
A、基区B、发射区C、集电区D、不确定
考题
关于BJT的结构特点说法错误的是()。A、基区很薄且掺杂浓度很低B、发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度C、基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度D、集电区面积大于发射区面积
考题
晶体管的内部放大条件是:发射区重掺杂,基区轻掺杂且宽度很窄,集电极面积大等。()
考题
NPN型晶体管的发射区是()型半导体,集电区是()型半导体,基区是()型半导体。
考题
NPN型和PNP型晶体管的区别是()。
A、由两种不同的材料硅和锗制成B、掺入的杂质不同C、P区和N区的位置不同D、电流放大倍数不同
考题
晶体管的基区之所以做得很薄,是为了减少电子和空穴在基区的复合机会,从而使由发射区进入基区的载流子,绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流。()
此题为判断题(对，错)。
考题
晶体管能够放大的内部条件是()。
A.两个背靠背的PN结B.自由电子与空穴都参与导电C.有三个掺杂浓度不同的区域D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大
考题
晶体管的内部结构分为三个区,即发射区、基区和集电区;两个结为发射和集电结。()
此题为判断题(对，错)。
考题
晶体管的内部结构分为三个区，即发射区、基区和集电区；两个结为发射和集电结。
考题
晶体管分为三层分别为（）A、发射区B、放大区C、集电区D、基区E、扩张区
考题
晶体三极管它有三个区和三个引出电极，分别是（）。A、集电区（极）B、基区（极）C、控制区（极）D、发射区（极）
考题
每一类晶体管都是由基区、发射区和（）三个不同的导电区域构成的。
考题
晶体管热噪声主要存在于（）电阻内。A、基区B、发射区C、集电区D、发射区和集电区
考题
根据国产半导体器件命名方法可知，3DG6为（）A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管
考题
无论是NPN型管还是PNP型管，它们内部均含有三个区，即发射区、基区和（）。
考题
PNP型或NPN型晶体管，其发射区和集电区均为同类型半导体（N型或P型）。所以在实际使用中发射极与集电极（）。A、可以调换使用B、不可以调换使用C、PNP型可以调换使用，NPN型则不可以调换使用
考题
NPN型和PNP型晶体管的区别是（）A、由两种不同材料硅和锗制成的B、渗入的杂质元素不同C、P区和N区的位置不同
考题
根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为（）。A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管
考题
晶体管内部由3层半导体材料构成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别称为发射极和集电极。
考题
晶体管符号上的箭头朝外，则表示为（）。A、NPN型晶体管；B、PNP型晶体管；C、硅管；D、锗管。
考题
三极管有三个PN结和三个区—发射区、集电区、基区。
考题
单选题晶体管是由单层半导体材料组成的。有三个区域，中间的一层为（）。A
基区B
栅区C
集电区D
发射区
考题
填空题每一类晶体管都是由基区、发射区和（）三个不同的导电区域构成的。
考题
填空题晶体管包含三个区：集电区，（）和发射区。
考题
判断题标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。A
对B
错
