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题3-2-4 两步工艺分为预淀积(预扩散)、再分布(主扩散)两步。预淀积是惰性气氛下的 。

A.恒定源扩散

B.有限源扩散

C.间隙式扩散

D.替位式扩散


参考答案和解析
物理反应
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考题 判断题预淀积扩散是为了提供足够的杂质总量,而再分布扩散是为了达到需要的扩散深度并同时在硅的表面获得一定厚度的氧化层。A 对B 错

考题 填空题扩散的目的是为了实现对半导体掺杂,杂质扩散的深度与()有关,服从()。杂质扩散通常分为等表面浓度扩散,也(),和固定杂质总量扩散,也称()。预淀积的分布是()函数,再分布扩散的杂质呈()函数分布。

考题 问答题低压化学气相淀积与常压化学气相淀积法相比,优点有?

考题 判断题在硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤:预淀积、推进和激活。A 对B 错