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二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温（）、（）淀积、PECVD淀积。

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考题 采用LPCVD TEOS淀积的是什么膜？这层膜的优点是什么？
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考题 淋溶（eluviation）与淀积（illuviation）过程
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考题 腐殖质淀积层
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考题 有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法？
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考题 名词解释题化学气相淀积
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考题 判断题在一个化学气相淀积工艺中，如果淀积速率是反应速率控制的，则为了显著增大淀积速率，应该增大反应气体流量。A 对B 错
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考题 判断题LPCVD紧随PECVD的发展而发展。由660℃降为450℃，采用增强的等离子体，增加淀积能量，即低压和低温。A 对B 错
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考题 问答题淀积技术包括哪两种？
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考题 判断题LPCVD系统中淀积速率是受表面反应控制的，APCVD系统中淀积速率受质量输运控制。A 对B 错
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考题 填空题缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是（）、（）、高密度等离子体化学气相淀积和（）。
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考题 名词解释题腐殖质淀积层
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考题 问答题低压化学气相淀积与常压化学气相淀积法相比，优点有？
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考题 问答题简述淀积膜的过程的三种不同阶段
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考题 问答题化学气相淀积薄膜的生长过程是怎样的？
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考题 名词解释题预淀积
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考题 问答题薄膜在KOH水溶液中的腐蚀速率非常慢，因此常作为硅片定域KOH各向异性腐蚀的掩蔽膜，而PECVD氮化硅薄膜在KOH水溶液中的腐蚀速率快。怎样才能用已淀积的PECVD氮化硅薄膜作为KOH各向异性腐蚀的掩蔽膜？
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