考题
目前实用的波分复用器是一个()光学器件。
A、有源晶体B、有源C、无源半导体D、无源纤维
考题
电子器件所用的半导体具有晶体结构因此把半导体也称为晶体。()
此题为判断题(对，错)。
考题
晶体管是由两个PN结构成的一种半导体器件,其中一个PN结叫做(),另一个叫做()。
考题
半导体管图示仪对半导体器件进行测量的同时,在示波管屏幕上可显示出各种半导体器件的()。
A.性能参数B.转移特性C.内部性能D.特性曲线
考题
电子点火实际上就是利用半导体器件作为开关，( )或( )初级电流，因而又称为半导体点火或晶体管点火。
考题
132）半导体具有热敏特性、电敏特性和掺杂特性，利用这些特性可以制成各种不同用途的半导体器件。（ ）
考题
一般的半导体二极管是（）。A、具有正电阻特性的器件B、具有负电阻特性的器件
考题
整流电路主要是利用（）实现的。A、半导体器件的单向导电性B、半导体器件的电容效应C、半导体器件的击穿特性D、半导体器件的温度敏感性
考题
一般的半导体二极管是（）。A、具有正电阻特性的器件B、具有负电阻特性的器件C、正负电阻特性都有的器件
考题
单结晶体管和可控硅是（）。A、具有正电阻特性器件B、具有负电阻特性的器件C、正负电阻特性都有的器件
考题
可选用（）制造显示和照明器件。A、磷光体B、压电晶体C、氧化物玻璃半导体D、液晶材料
考题
半导体管图示仪对半导体器件进行测量的同时，在示波管屏幕上可显示出各种半导体器件的（）。A、性能参数B、转移特性C、内部性能D、特性曲线
考题
整流所用的半导体器件特性是（）。A、放大特性B、反向击穿C、单向导电D、饱和特性
考题
晶体管是电流控制型半导体器件，而场效应晶体管则是电压型控制半导体器件。
考题
晶体在不同晶向上的性能是（），这就是单晶体的各向异性现象。一般结构用金属为多晶体，在各个方向上性能近似相同，这就是实际金属的（）现象。
考题
半导体的压阻效应与掺杂度、温度、材料类型和半导体的晶向有关。
考题
为了制造性能良好的太阳电池，必须对半导体材料的理化特性加以选择，请问有哪几种物理特性需要着重考虑？
考题
构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有（）和（）特性。
考题
半导体管图示仪在对半导体器件进行测量的同时，在示波管屏幕上可显示出各种半导体器件的（）。A、性能参数B、转移特性C、内部性能D、特性曲线
考题
晶体中原子排列方式相同但位向不同的晶向称为（）。A、平行晶向B、一族晶向C、交叉晶向D、相交晶向
考题
单选题晶体中原子排列方式相同但位向不同的晶向称为（）。A
平行晶向B
一族晶向C
交叉晶向D
相交晶向
考题
判断题半导体的压阻效应与掺杂度、温度、材料类型和半导体的晶向有关。A
对B
错
考题
单选题一般的半导体二极管是（）。A
具有正电阻特性的器件B
具有负电阻特性的器件
考题
填空题从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是（）、（）和（）。
考题
填空题半导体集成电路主要的衬底材料有单元晶体材料（）、（）和化合物晶体材料（）、（）；硅COMS集成电路衬底单晶的晶向常选（）；TTL集成电路衬底材料的晶向常选（）；常用的硅集成电路介电薄膜是（）、（）；常用的IC互连线金属材料是（）、（）。