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金属与n型半导体接触形成欧姆接触，此时金属的功函数应当大于半导体的功函数。
参考答案和解析
在不考虑表面态的时候，重掺杂的pn结可以产生显著的隧道电流。金属和半导体接触时，如果半导体掺杂浓度很高，则势垒区宽度很薄，电子也要通过隧道效应贯穿势垒产生相当大的隧道电流，甚至超过热电子发射电流而成为电流的主要成分。当隧道电流占主导地位时，它的接触电阻可以很小，可以用作欧姆接触。所以，当半导体重掺杂时，它与金属的接触可以形成接近理想的欧姆接触。
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考题
关于半导体测温元件说法正确的是______。A.半导体热敏电阻随温度的升高电阻值上升B.P型和N型半导体材料不能集成在一个热电偶中C.不能制作成接触型D.半导体热敏电阻比金属热敏电阻灵敏度高
考题
半导体晶体管所以具有单向导电性,是因为制造时使用特殊工艺,将P型半导体与N型半导体结合在一起,从而在P型半导体与N型半导体的接触面附近形成了PN结的缘故。()
此题为判断题(对，错)。
考题
填空题肖特基接触呈现（），肖特基结的高低由（）差决定；欧姆接触呈现（）特性，接触电阻可以低到10-7欧姆·厘米。IC的互连线金属要求与半导体衬底实现（），所以，源、漏、多晶硅等的掺杂浓度必须高于（）。
考题
单选题关于半导体测温元件说法正确的是（）。A
半导体热敏电阻随温度的升高电阻值上升B
P型和N型半导体材料不能集成在一个热电偶中C
不能制作成接触型D
半导体热敏电阻比金属热敏电阻灵敏度高
考题
多选题对于CMOS晶体管，要得到良好受控的阈值电压，需要控制（）等工艺参数。A氧化层厚度；B沟道中掺杂浓度；C金属半导体功函数；D氧化层电荷。
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