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多选题
对于CMOS晶体管，要得到良好受控的阈值电压，需要控制（）等工艺参数。
A
氧化层厚度；
B
沟道中掺杂浓度；
C
金属半导体功函数；
D
氧化层电荷。
参考答案
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解析：
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考题
对于TTL电路和CMOS电路的原理及比较，以下描述中不正确的是______。A.TTL电路是电压控制，CMOS电路是电流控制
B.TTL电路速度快，但是功耗大，CMOS电路速度慢，传输延迟时间长
C.CMOS电路具有锁定效应
D.CMOS电路在使用时不用的管脚不要悬空，要接上拉电阻或下拉电阻
考题
SIM9仿真库中的主要元件有电阻、电容、电感、（）、（）、JFET结型场效应晶体管、MOS场效应晶体管、电压/电流控制开关、熔丝、继电器、互感、TTL和CMOS数字电路元器件、模块电路等
考题
对受控文件描述准确的是：（）A、对文件的批准、标识、发放、修改等各个过程进行控制，以确保可得到该文件的适用版本B、文件上盖有“受控章”，就是受控文件C、受控文件一定处于受控状态，所以必须有“受控章”D、受控文件一定是现行有效的，所以现行有效的文件就是受控文件
考题
下列关于CMOS的说法正确的是（）。A、CMOS中信息将随着关机而丢失B、CMOS不使用系统电源，只使用机器主板上的扣型锂电池C、CMOS实际是ROM，不需要供电D、CMOS中存放了设备的参数
考题
填空题SIM9仿真库中的主要元件有电阻、电容、电感、（）、（）、JFET结型场效应晶体管、MOS场效应晶体管、电压/电流控制开关、熔丝、继电器、互感、TTL和CMOS数字电路元器件、模块电路等
考题
问答题离子注入工艺需要控制的工艺参数及设备参数有哪些？
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