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【单选题】N沟道耗尽型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置()
A.vGS可正、可负、可为零,vDS为负;
B.vGS可正、可负、可为零,vDS为正;
C.vGS为正,vDS可正、可负、可为零;
D.可负、可为零。
参考答案和解析
BCD
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考题
电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。
考题
填空题N沟道MOSFET的衬底是()型半导体,源区和漏区是()型半导体,沟道中的载流子是()。
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