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为了制成单晶及更纯的硅,通常可以采用丘克拉斯基凝固工艺(CZ法)。

A．错误

B．正确

参考答案

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考题 为了得到更纯的细胞组分,通常采用的分离技术是()。 A、密度梯度离心B、差速离心C、细胞淘洗技术D、流式细胞术
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考题 采用单晶硅的压阻式压力变送器采用单晶硅片为弹性元件，在单晶硅膜片上利用集成电路的工艺，在单晶硅的特定方向扩散一组（）电阻，并将电阻接成桥路。A、不等值B、等值C、线性值D、非线性值
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考题 （）是将熔融后的多晶硅与单晶硅的结晶进行接触，边缓慢旋转提拉，使结晶生长，最后得到长棒形状的单晶硅。A、直拉法B、铸锭法C、西门子法D、三氯氢硅还原法
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考题 工业中单晶硅的制备方法主要有（）和区熔法（FZ法）
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考题 下面哪种不是单晶硅的制备方法（）。A、硅带法B、区熔法C、直拉单晶法D、磁拉法
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考题 为了防止铸件在铸件产生热应力，在工艺上常采用（）。A、同时凝固B、顺序凝固C、逐层凝固
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考题 为了制成单晶及更纯的硅，通常可以采用丘克拉斯基凝固工艺（CZ法）。
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考题 多晶硅的铸锭工艺主要有定向凝固法和浇铸法两种。
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考题 关于扩散硅式压力变送器下列描述错误的是（）。A、扩散硅芯片由单晶硅经过采用集成工艺技术经过掺杂、扩散制成B、其硅片上沿单晶硅的特点晶向，制成应变电阻，构成惠斯凳电桥C、集力敏与力电转换检测于一体D、根据压阻效应，将压力转换成破坏惠斯凳电桥桥路平衡的电流，再根据电流变化与压力大小的非线性关系，推算压力大小。
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考题 判断题为了制成单晶及更纯的硅，通常可以采用丘克拉斯基凝固工艺（CZ法）。A 对B 错
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考题 问答题将圆柱形的单晶硅锭制备成硅片需要哪些工艺流程？
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考题 问答题简述单晶材料制备中定向凝固法原理。
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考题 单选题压阻式压力传感器中的硅膜片通常是（）。A 单晶硅B 多晶硅C 非晶硅D 硅蓝宝石
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考题 多选题以下哪些工艺应用的原子扩散的理论（）A渗氮B渗碳C硅晶片掺杂D提拉单晶硅
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考题 单选题关于扩散硅式压力变送器下列描述错误的是（）。A 扩散硅芯片由单晶硅经过采用集成工艺技术经过掺杂、扩散制成B 其硅片上沿单晶硅的特点晶向，制成应变电阻，构成惠斯凳电桥C 集力敏与力电转换检测于一体D 根据压阻效应，将压力转换成破坏惠斯凳电桥桥路平衡的电流，再根据电流变化与压力大小的非线性关系，推算压力大小。
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考题 判断题85%以上的单晶硅是采用CZ直拉法生长出来的。A 对B 错
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