考题
硅二极管的死区电压约为()伏。
A、0.1B、0.7C、0.2D、0.5
考题
锗二极管的死区电压约为()伏。
A. 0.1B. 0.7C. 0.2D. 0.5
考题
锗材料二极管的死区电压为()V。
A、0.1B、0.3C、0.5D、0.7
考题
一般来说,硅二极管的死去电压小于锗二极管的死区电压。 ()
此题为判断题(对，错)。
考题
一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。()
此题为判断题(对，错)。
考题
为什么二极管具有单向导电性？硅二极管和锗二极管的正向电压分别是多少？
考题
锗二极管正向电压超过0.2伏左右，硅管超过0.5伏左右，正向电流很快上升。
考题
二极管处于导通状态时，二极管的压降（）。A、为零B、硅管0.7V，锗管0.3VC、等于电路电压D、电压不变
考题
二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
考题
硅管与锗管的死区电压分别为（）。A、0.7，0.3B、0.3，0.7C、0.5，0.2D、0.2，0.5
考题
硅二极管的死区电压约为（）。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7
考题
锗二极管的死区电压为（）V，导通电压为（）V
考题
半导体二极管具有显著的单向导电性，外加正向电压时，锗二极管的死区电压一般为（）。A、0.1～0.3VB、0.3～0.5VC、0.5～0.7VD、0.7～0.8V
考题
二极管伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
考题
什么是二极管的死区电压？它是如何产生的？硅管和锗管的死区电压的典型值是多少？
考题
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
考题
硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
考题
硅二极管的导通电压值约为（），锗二极管的导通电压约为（）。
考题
二极管具有（）向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为（）V；硅管约为（）V。
考题
硅二极管和锗二极管的死区电压分别约为（）A、0.6V；0.6VB、0.6V；0.1VC、0.1V；0.6VD、0.1V；0.1V
考题
为什么二极管具有单向导电性？硅二极管和锗二极管的正向电压分别是多少伏？
考题
硅二极管和锗二极管的死区电压的典型值约为多少？
考题
单选题锗二极管的压降比硅二极管的要小，理论上锗二极管是0.3V，硅二极管是（）。A
0.4VB
0.5VC
0.6VD
0.7V
考题
填空题硅管的死区电压（）伏，锗管的死区电压约为（）伏。
考题
问答题二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
