考题
在判别锗、硅二极管时,当测出正向压降为()时,将认为此二极管为锗二极管;当测出正向压降为()时,将认为此二极管为硅二极管。
考题
硅二极管导通时的正向压降为()V,锗二极管导通时的正向压降为()V。
考题
晶体二极管具有()导电性、即加正向电压二极管(),加反向电压就()。
考题
硅二极管和锗二极管的死区电压分别是()伏。A. 0.2，0.7B. 0.5，0.2C. 0.7， 1.0
考题
为什么二极管具有单向导电性？硅二极管和锗二极管的正向电压分别是多少？
考题
以下关于二极管的说法不正确的是（）。A、发光二极管在外加正向电压时能发光B、二极管的电阻是一个常数C、二极管两端的电压和电流关系不符合欧姆定律D、二极管具有单向导电性
考题
锗二极管正向电压超过0.2伏左右，硅管超过0.5伏左右，正向电流很快上升。
考题
二极管具有单向导电性，加正向电压，二极管截止；加反向电压，二极管导通。
考题
二极管具有单向导电性，加正向电压导通，反向电压截止。
考题
半导体二极管具有显著的单向导电性，外加正向电压时，锗二极管的死区电压一般为（）。A、0.1～0.3VB、0.3～0.5VC、0.5～0.7VD、0.7～0.8V
考题
发光二极管也具有单向导电性，其正向导通电压较高。
考题
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
考题
硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
考题
硅二极管的导通电压值约为（），锗二极管的导通电压约为（）。
考题
在工程估算中，硅二极管的正向导通电压取（）V，锗二极管的正向导通电压取（）V。
考题
二极管具有（）向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为（）V；硅管约为（）V。
考题
二极管当正向电压超过UVD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。
考题
二极管加上正向电压就导通，加上反向电压就截止的现象，称为二极管的（）。A、导电性B、截止性C、单向击穿性D、单向导电性
考题
二极管具有单向导电性，其正向电阻（），反向电阻（）。
考题
硅二极管的正向电阻（）锗二极管的正向电阻。A、大于B、小于C、等于D、无法确定
考题
硅二极管和锗二极管的死区电压的典型值约为多少？
考题
填空题硅二极管的正向电压降一般为（）左右;锗二极管的正向电压一般为（）左右。
