考题
当正向电压很小时,二极管的正向电流几乎为零,呈现高电阻;当正向电压超过某一数值后,正向电流迅速增加,这时正向电阻很小。()
此题为判断题(对，错)。
考题
在判别锗、硅二极管时,当测出正向压降为()时,将认为此二极管为锗二极管;当测出正向压降为()时,将认为此二极管为硅二极管。
考题
硅二极管导通时的正向压降为()V,锗二极管导通时的正向压降为()V。
考题
为什么二极管具有单向导电性？硅二极管和锗二极管的正向电压分别是多少？
考题
区分硅管和锗管是通过测量BE结的（）。A、正向电流B、反向电流C、正向电阻D、反向电阻
考题
二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（）
考题
在判断被测二极管是硅管还是锗管，一般情况下是通过测量（）来判断的。A、正向电阻B、正向电流C、反向电阻D、正向导通电压
考题
锗二极管的正向压降通常为（）。A、0.3v左右B、0.5v左右C、0.6v左右D、0.7v左右
考题
当硅二极管正向施加超过1V以上的电压时，则（）。A、二极管电流增大B、二极管过流损坏C、二极管击穿D、二极管电流基本不变
考题
常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
考题
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
考题
硅二极管的开启电压为0.5V左右，锗二极管为0.1V左右。
考题
在工程估算中，硅二极管的正向导通电压取（）V，锗二极管的正向导通电压取（）V。
考题
在常温下，硅二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V，锗二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V。
考题
二极管具有（）向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为（）V；硅管约为（）V。
考题
二极管当正向电压超过UVD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。
考题
在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
考题
晶体管的PN结的正向压降为（）。A、锗管为0.3V左右B、锗管为0.7V左右C、硅管为0.3V左右D、硅管为0.7V左右
考题
硅二极管上外加正向电压很低时，正向电流几乎为零。只有在外加电压达到约（）时，正向电流才明显增加，这个电压称为硅二极管的门坎电压。A、0.3VB、0.2VC、0.5VD、0.7V
考题
为什么二极管具有单向导电性？硅二极管和锗二极管的正向电压分别是多少伏？
考题
锗二极管的正向导通电压为（）。A、0.3V左右B、0.6V左右C、0.8V左右D、0.7V左右
考题
硅二极管的正向电阻（）锗二极管的正向电阻。A、大于B、小于C、等于D、无法确定
考题
单选题在判断被测二极管是硅管还是锗管，一般情况下是通过测量（）来判断的。A
正向电阻B
正向电流C
反向电阻D
正向导通电压
考题
多选题晶体管的PN结的正向压降为（）。A锗管为0.3V左右B锗管为0.7V左右C硅管为0.3V左右D硅管为0.7V左右
考题
填空题常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
考题
填空题硅二极管的正向电压降一般为（）左右;锗二极管的正向电压一般为（）左右。
