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当硅二极管正向施加超过1V以上的电压时,则()。

  • A、二极管电流增大
  • B、二极管过流损坏
  • C、二极管击穿
  • D、二极管电流基本不变

参考答案

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考题 当正向电压很小时,二极管的正向电流几乎为零,呈现高电阻;当正向电压超过某一数值后,正向电流迅速增加,这时正向电阻很小。() 此题为判断题(对,错)。

考题 当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时,硅二极管() A、立即导通B、到0.3V才开始导通C.、超过死区电压时才开始导通

考题 某二极管的正向电压为1V时电流为40mA,这时二极管的直流内阻是多少?若又知道正向电压的变化为0.8V时的电流变化为20mA,则二极管的交流内阻是多少?

考题 在判别锗、硅二极管时,当测出正向压降为()时,将认为此二极管为锗二极管;当测出正向压降为()时,将认为此二极管为硅二极管。

考题 当硅二极管加上0.4V正向电压时,该二极管相当于()。 A、很小的电阻B、很大的电阻C、短路

考题 当二极管处在正向电压作用下,管子两端正偏压很小(约1V左右)时便开始导通

考题 锗二极管正向电压超过0.2伏左右,硅管超过0.5伏左右,正向电流很快上升。

考题 硅二极管两端加上正向电压时()。A、立即导通B、若超过0.3V才导通C、若超过死区电才导道

考题 硅二极管的正向电压约为0.2V。()

考题 当硅二极管加上0.3V正向电压时,该二极管相当于()。A、阻值很大的电阻B、小阻值电阻C、内部短路D、内部开路

考题 当二极管外加电压时,反向电流很小,且不随()变化。A、正向电流B、正向电压C、电压D、反向电压

考题 当二极管外加的正向电压超过死区电压时,电流随电压增加而迅速()。A、增加B、减小C、截止D、饱和

考题 当二极管加正向电压时,二极管就(),而当二极管加反向电压时,二极管就(),这叫二极管的()特性。

考题 硅整流二极管的额定电压是指()。A、正向平均电压B、反向不重复峰值电压C、反向重复峰值电压D、以上答案均不对

考题 发光二极管在正向电压小于某一值()时,电流极小,不发光;当电压超过某一值后正向电流随电压迅速增加,发光。

考题 硅二极管的正向压降是()。A、0.7VB、0.2VC、1V

考题 晶体二极管导通时的正向压降:硅管约为()V,锗管约为()V。通常硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。

考题 在工程估算中,硅二极管的正向导通电压取()V,锗二极管的正向导通电压取()V。

考题 二极管当正向电压超过UVD后,二极管开始导通。正常导通时,二极管的正向管压降很小,硅管约为(),锗管约为()。

考题 当二极管正向偏置电压小于死区电压时二极管才能导通。

考题 当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增大时,硅二极管()。A、立即导通B、到0.3V时才开始导通C、超过死区电压时才开始导通D、不导通

考题 常温下,硅二极管的正向导通压降为()。A、0.3V;B、0.7V;C、1V

考题 当加在二极管两端的正向电压从0开始逐渐增大时,硅二极管()。A、超过死区电压时才开始导通B、到0.3才开始导通C、立即导通

考题 硅二极管上外加正向电压很低时,正向电流几乎为零。只有在外加电压达到约()时,正向电流才明显增加,这个电压称为硅二极管的门坎电压。A、0.3VB、0.2VC、0.5VD、0.7V

考题 硅稳压管加正向电压超过()电压时导通。

考题 填空题硅二极管的正向电压降一般为()左右;锗二极管的正向电压一般为()左右。

考题 填空题硅整流二极管承受正向电压的阻值很小,约为()Ω,反向电阻则大于()Ω,不符合要求时应予更换。