考题
二极管导通的条件是加在二极管两端的电压是正向电压小于PN结的死区电压 。 ()
此题为判断题(对，错)。
考题
二极管的单向导电性是指:()
A、外加正向电压导通，加反向电压截止。B、外加正向电压截止，加反向电压导通。C、外加正向电压导通，加反向电压导通。
考题
二极管两端电压大于电压时,()二极管才导通。
A、击穿电压B、死区C、饱和D、夹断电压
考题
当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时,硅二极管()
A、立即导通B、到0.3V才开始导通C.、超过死区电压时才开始导通
考题
半导体二极管导通的条件是加在二极管两端的正向电压比二极管的死区电压()。
考题
二极管两端加上正向电压时超过()电压才能导通。
考题
当二极管处在正向电压作用下，管子两端正偏压很小（约1V左右）时便开始导通
考题
二极管导通状态描述错误的是（）A、锗二极管的导通电压为0.3V左右B、硅二极管的导通电压为0.6V左右C、二极管导通后，其导通电流不变D、二极管导通后，其导通电压不变
考题
当对半导体二极管外加正向电压时（），外加反向电压时（）。A、导通；导通B、导通；截止C、截止；导通D、截止；截止
考题
硅二极管两端加上正向电压时（）。A、立即导通B、若超过0.3V才导通C、若超过死区电才导道
考题
当二极管两端正向偏置电压大于（）电压时，二极管才能导通。A、击穿；B、饱和；C、门槛。
考题
对于晶体二极管，下列说法不正确的是：（）A、正向电阻很小B、反向电阻很大C、正向电压大于死区电压时才能导通D、反向电压多大都不会导通
考题
硅三极管两端加上正向电压时（）。A、立即导通B、若超过0.3V才导通C、若越过死区电压就导通
考题
二极管导通的条件是加在二极管两端的电压（）A、正向电压大于PN结的死区电压B、正向电压等于零C、必须加反向电压
考题
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
考题
二极管两端加上正向电压时（）A、一定导通B、超过死区电压才导通C、超过0.7V才导通D、超过0.3V才导通
考题
从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正偏导通状态。A、0B、死区电压C、反向击穿电压D、正向压降
考题
二极管两端加上正向电压时（）A、一定导通B、超过死区电压才能导通C、超过0.7伏才导通D、超过0.3伏才导通
考题
二极管当正向电压超过UVD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。
考题
当二极管正向偏置电压小于死区电压时二极管才能导通。
考题
晶体二极管的特性：只有在（）时导通，而在反向电压时不能导通。A、正向电压B、正向电流C、正向电极D、正向电路
考题
二极管两端加上正向电压时（）。A、一定导通B、超过死区电压才能导通C、超过0.7V才导通D、超过0.3V才导通
考题
当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增大时，硅二极管（）。A、立即导通B、到0.3V时才开始导通C、超过死区电压时才开始导通D、不导通
考题
二极管两端正向电压大于（）时，二极管才导通。A、击穿电压B、开启电压C、夹断电压D、直流电压
考题
单选题对于二极管来说，以下说法错误的是（）。A
正向电阻很小B
反向电阻很大C
无论加多大的反向电压，都不会导通D
所加正向电压大于死区电压时，二极管才真正导通
考题
单选题对于晶体二极管来说，以下说法错误的是（）。A
正向电阻很小B
无论加多大的反向电压，都不会导通C
未被反向击穿前，反向电阻很大D
所加正向电压大于死区电压时，二极管才算真正导通
考题
单选题硅三极管两端加上正向电压时（）。A
立即导通B
若超过0.3V才导通C
若越过死区电压就导通
