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杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂，但主要可分为（）扩散和（）扩散两种。
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考题
本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。A、自由电子，空穴；扩散，飘移B、空穴，自由电子；漂移，扩散C、空穴，自由电子；扩散，漂移D、自由电子，空穴；漂移，扩散E、自由电子，空穴；扩散，扩散
考题
怎样理解扩散原子对基体造成的晶格畸变越大，扩散则越容易。（）A、扩散原子具有更低的能量，需要的扩散激活能变大，扩散系数变小，所以扩散容易；B、扩散原子具有更高的能量，需要的扩散激活能变小，扩散系数变大，所以扩散容易；C、基体原子具有更高的能量，造成的势垒变小，扩散系数变小，所以扩散容易。
考题
单选题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是间隙式扩散机制和替代式扩散机制。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。A
激活杂质后B
一种物质在另一种物质中的运动C
预淀积D
高温多步退火
考题
单选题二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件有哪些（） ①杂质在硅中的扩散系数大于在二氧化硅中的扩散系数 ②杂质在硅中的扩散系数小于在二氧化硅中的扩散系数 ③二氧化硅的厚度大于杂质在二氧化硅中的扩散深度 ④二氧化硅的厚度小于杂质在二氧化硅中的扩散深度A
②④B
①③C
①④D
②③
考题
填空题扩散的目的是为了实现对半导体掺杂，杂质扩散的深度与（）有关，服从（）。杂质扩散通常分为等表面浓度扩散，也（），和固定杂质总量扩散，也称（）。预淀积的分布是（）函数，再分布扩散的杂质呈（）函数分布。
考题
填空题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（）扩散和（）扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。
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