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简述在热氧化过程中杂质再分布的四种可能情况。
参考答案
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考题
杂质可能分布在晶体内并与金属主要成分形成固溶体或化合物,也可能分布在晶界上而形成聚合物。形成固溶体或化合物的杂质原子会使晶格歪扭,增大滑移的困难和变形抗力,因而降低了金属的塑性。()
此题为判断题(对，错)。
考题
影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是（）①原材料中杂质的种类和含量；②杂质的分凝效应；③杂质的蒸发效应；④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污；⑤加入杂质量；A、①②④B、②④⑤C、①②④⑤D、①②③④⑤
考题
单选题影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是（）①原材料中杂质的种类和含量；②杂质的分凝效应；③杂质的蒸发效应；④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污；⑤加入杂质量；A
①②④B
②④⑤C
①②④⑤D
①②③④⑤
考题
判断题外延生长过程中杂质的对流扩散效应，特别是高浓度一侧向异侧端的扩散，不仅使界面附近浓度分布偏离了理想情况下的突变分布而形成缓变，且只有在离界面稍远处才保持理想状态下的均匀分布，使外延层有效厚度变窄。A
对B
错
考题
问答题列举IC芯片制造过程中热氧化SiO2的用途？
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