网友您好， 请在下方输入框内输入要搜索的题目：

题目内容 （请给出正确答案）
下列各项中不是电平控制型器件的是()。

A.GTO

B.GTR

C.IGBT

D.MOSFET

参考答案

更多 “ 下列各项中不是电平控制型器件的是()。 A.GTOB.GTRC.IGBTD.MOSFET ” 相关考题
考题 下列全控器件中,属于电流控制型的器件是( )。 A.SITB.GTRC.IGBTD.P-MOSFET
查看答案
考题 下列大功率半导体器件中的()是全控型器件,但不是电流型器件。 A、GTRB、SCRC、IGBTD、GTO
查看答案
考题 下列关于74HCT系列逻辑器件输入输出电平的描述中，正确的是(27)。A．输入为TTL电平，输出为TTL电平B．输入为CMOS电平，输出为TTL电平C．输入为TTL电平，输出为CMOS电平D．输入为CMOS电平，输出为CMOS电平
查看答案
考题 ● 下列关于74HCT 系列逻辑器件输入输出电平的描述中，正确的是 （27） 。（27）A. 输入为TTL电平，输出为TTL电平B. 输入为CMOS 电平，输出为TTL电平C. 输入为TTL电平，输出为CMOS 电平D. 输入为CMOS 电平，输出为CMOS 电平
查看答案
考题 下列关于N型MOSFET的说法，不正确的有A．NMOS器件包括栅（G），源（S），漏（D）等端口。B．NMOS器件的源漏对称。C．NMOS器件作为开关使用时，栅极接高电平，则源-漏端导通。D．NMOS器件作为开关使用时，栅极接低电平，则源-漏端断开
查看答案
考题 下列全控器件中，属于电流控制型的器件是 （）A．P-MOSFETB．SITC．GTRD．IGBT
查看答案
考题 下列全控器件中，属于电流控制型的器件是（）。 A. P-MOSFET B. GTO C. GTR D. IGBT
查看答案
考题 在下列全控器件中, 属于电压控制型的器件是（）。 A. P-MOSFET B. GTO C. GTR D. IGBT
查看答案
考题 2、下列说法中，哪些是错误的A．对CMOS结构的NAND3，若每个MOS器件的导通电阻完全相同，当高电平容限与低电平容限相同时，高电平驱动能力与低电平驱动能力相同B．对CMOS结构的NAND3，若每个MOS器件的导通电阻完全相同，当高电平容限与低电平容限相同时，高电平驱动能力是低电平驱动能力的3倍C．对CMOS结构的NAND3，若每个MOS器件的导通电阻完全相同，当高电平容限与低电平容限相同时，低电平驱动能力是高电平驱动能力的3倍D．对CMOS结构的NOR3，若每个MOS器件的导通电阻完全相同，当高电平容限与低电平容限相同时，高电平驱动能力是低电平驱动能力的3倍
查看答案
热门标签
最新试卷