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下列全控器件中,属于电流控制型的器件是()。 A. P-MOSFET B. GTO C. GTR D. IGBT


参考答案和解析
GTR
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考题 SCR、GTR、GTO、VMOSFET和IGBT几种常用电力电子器件中,按开关频率从低到高依次排列的顺序为()。 A.SCR、GTR、GTO、VMOSFE、IGBTB.SCR、GTO、GTR、VMOSFE、IGBTC.GTO、SCR、GTR、IGBT、VMOSFED.SCR、GTO、GTR、IGBT、VMOSFE

考题 下列半导体器件中属于电流型控制器件的是()。 A.GTRB.MOSFETC.IGBT

考题 IGBT是一个复合型的器件,它是( ) A.GTR驱动的MOSFETB.MOSFET驱动的GTRC.MOSFET驱动的晶闸管D.MOSFET驱动的GTO

考题 下列全控器件中,属于电流控制型的器件是( )。 A.SITB.GTRC.IGBTD.P-MOSFET

考题 GTR为电流型控制器件,用______来控制集电极电流。而IGBT是______控制器件,用栅极电压来控制漏极电流。因此,其对驱动电路的要求不同。

考题 下列大功率半导体器件中的()是全控型器件,但不是电流型器件。 A、GTRB、SCRC、IGBTD、GTO

考题 已获广泛应用的全控型电力电子器件有电力晶体管GTR、可关断晶体管GTO、电力()晶体管MOSFET、绝缘删双极型晶体管IGBT和场控晶闸管MCT等

考题 GTO、GTR、IGBT均属于全控型器件。

考题 下列全控型开关器件中属于电流型驱动的有()。A、GTRB、IGBTC、MOSFETD、达林顿管E、GOT(GTO)

考题 电力电子器件是构成变频器的关键器件之一。下列电力电子器件中属于半控型器件的是()A、SCRB、GTR或BJTC、MOSFETD、IGBT

考题 普通晶闸管属于()。A、全控型器件B、半控型器件C、不控型器件D、电流型器件

考题 下列全控型器件中开关速度最快的是()。A、GTOB、GTRC、MOSFETD、IGBT

考题 GTO是()型器件。A、全控B、半控

考题 为什么普通晶闸管是半控型器件,而GTO是全控型器件?

考题 IGBT是()型器件。A、全控B、半控

考题 下列电力电子器件属于全控型器件的是()。A、SCRB、GTOC、GTRD、MOSFETE、IGBT

考题 IGBT是一个复合型的器件,它是()。A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GTO

考题 下列两种电力电子器件中均属于全控型器件的是()A、GTO和SCRB、GTR和电力二极管C、GTR和SCRD、GTO和GTR

考题 在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是(),属于半控型器件的是(),属于全控型器件的是();属于单极型电力电子器件的有(),属于双极型器件的有(),属于复合型电力电子器件得有();在可控的器件中,容量最大的是(),工作频率最高的是(),属于电压驱动的是电力()属于电流驱动的是()。

考题 简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。

考题 在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有(),全控型器件有(),电流驱动器件有()。

考题 门极可关断的晶闸管GTO是晶闸管的一种派生器件,属于()器件。A、不可控型B、半控型C、全控型D、以上答案全错

考题 下列半导体器件中属于电流型控制器件的是()。A、GTRB、MOSFETC、IGBT

考题 下列电力电子器件中不属于全控型器件的是()。A、SCRB、GTOC、GTRD、IGBT

考题 单选题GTO是()型器件。A 全控B 半控

考题 问答题为什么普通晶闸管是半控型器件,而GTO是全控型器件?

考题 问答题简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。

考题 填空题在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有(),全控型器件有(),电流驱动器件有()。