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当采用QS1型西林电桥，以低压电源、CN＝0.01μF进行测量时，其Cx的可测范围是300pF～1000μF。

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考题 194、测量大变压器的直流电阻，因阻值较小，应该使用（）。（A）西林电桥（QS1电桥）；（B）惠斯顿电桥测量；（C）凯尔文电桥测量。
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考题 测量大变压器的直流电阻，因阻值较小，应该使用（）A西林电桥（QS1电桥）B惠斯顿电桥测量C凯尔文电桥测量
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考题 QS1电桥内有一套低压电源和低压标准电容器，可测量电容量为300PF~100μF的试品。A对B错
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考题 计算题：用QS1电桥测量110KV套管介损tg时，试验电压为10KV，标准电容CN为50pF；电桥平衡时，R3=345Ω，试计算CX之值。（R4为定值3184Ω）
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考题 QS1型交流电桥测量时，标准电容CN和试验变压器QS1电桥距离应不小于（）。A、0.2mB、0.5mC、1mD、1.5m
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考题 用电桥法测量直流电阻，当被测试电阻在10Ω以上时，一般采用（）法测量。A、单臂电桥B、双臂电桥C、西林电桥
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考题 在相同条件下，用QS1型西林电桥测量小电容试品中的tg∮和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。
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考题 QS1型西林电桥正接线时电桥桥臂都处于高电位。
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考题 使用QS18A型万用电桥测量一电容，当“量程开关”置于1000PF，“损耗倍率”为D×0.01时，调节“损耗平衡”为1.2，“读数”两盘分别为0.5和0.076时电桥平衡，试问被测电容的容量及损耗因数各为多少？
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考题 使用QS1电桥测量tgδ时，接通或断开电源时，检流计灵敏度应在（）。
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考题 QS1电桥内有一套低压电源和低压标准电容器，可测量电容量为300PF~100μF的试品。
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考题 试品电容量约15000pF，使用QS1型西林电桥，施加10kV测量其tgδ时，电桥分流器位置宜选定在（）档位置A、0.01B、0.025C、0.06D、0.15
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考题 现场用QS1型西林电桥测量设备绝缘的tg∮，当出现较大电场干扰时，则在任意调换试验用电源的相别和极性的情况下，所测得的tg∮值均比真实的tg∮值大。
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考题 为什么用QS1型西林电桥测量小电容试品介质损耗因数时，采用正接线好？
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考题 使用QS1型交流电桥测量tanØ时，试验电源频率对测量值有一定影响。在一频率范围内，随频率的增加，tanØ值增加。当超过某一频率f0时，tanØ值随频率的增加而下降。这是由介质内极化分子“转向”能否跟上频率变化所决定的。
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考题 电容量测量试验要求电容电感测试仪：可测电容范围（），测量精度正负1.0%。A、0.5μF～2000μFB、1μF～2000μFC、0.5μF～1000μFD、1μF～1000μF
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考题 用电桥法测量直流电阻，当被试电阻在10Ω以上时，一般采用（）测量。A、单臂电桥B、双臂电桥C、西林电桥
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考题 用QS1电桥测量110kV套管介损tgδ值时，试验电压为10kV，标准电容CN为50pF；电桥平衡时，R3=345Ω，试计算Cx之值。（R4为定值3184Ω）
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考题 用QS1型西林电桥测tgδ时的操作要点具体有哪些？
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考题 用QS1型西林电桥测tgδ，消除电场干扰的方法有哪些？
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考题 简述5件QS1型西林电桥内部的主要元件。
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考题 用QS1型西林电桥测tgδ时的操作要点有哪些？
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考题 QS1型交流电桥测量介质损耗正切值是一项低压作业，加压时间短，操作比较简单。
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考题 问答题用QS1电桥测量110千伏套管介损tgδ值时，试验电压为10千伏，标准电容CN为50皮法，电桥平衡时，R3为345欧，计算Cx之值（R4为定值3184欧）。
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考题 判断题现场用QS1型西林电桥测量设备绝缘的tg∮，当出现较大电场干扰时，则在任意调换试验用电源的相别和极性的情况下，所测得的tg∮值均比真实的tg∮值大。A 对B 错
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考题 判断题QS1电桥内有一套低压电源和低压标准电容器，可测量电容量为300PF~100μF的试品。A 对B 错
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考题 判断题QS1型西林电桥正接线时电桥桥臂都处于高电位。A 对B 错
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