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雪崩式光敏二极管灵敏度很高,响应速度很快。


参考答案

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考题 雪崩光电二极管是利用PN结在()反向电压下产生的雪崩效应来工作的一种二极管A、低B、高C、高低均可

考题 半导体色敏传感器又称为( )。 A. 双结光电二极管B. 雪崩式光电二极管C. PIN 型硅光电式二极管D. 光电池

考题 雪崩光电二极管的倍增因子定义为() 。

考题 PIN光电二极管,因无雪崩倍增作用,因此其雪崩倍增因子为()A. G>1B. G PIN光电二极管,因无雪崩倍增作用,因此其雪崩倍增因子为()A. G>1B. GC. G=1D. G=0

考题 红外接收光敏器件是一种专门设计的具有相当大吸收面积的高灵敏度的()。A、晶体管B、光敏二极管C、稳压管D、场效应管

考题 光电二极管(PIN)具有雪崩效应。

考题 特殊二极管有()A、变容二极管,雪崩二极管,发光二极管,光电二极管B、整流二极管,变容二极管,雪崩二极管,发光二极管C、开关二极管,雪崩二极管,发光二极管,光电二极管D、变容二极管,普通二极管,发光二极管,光电二极管

考题 ()就是利用雪崩效应使光电流得到倍增的高灵敏度的检测器。A、发光二极管B、APD雪崩光电二极管C、双基极二极管D、混频二极管

考题 雪崩光电二极管(APD)利用()使光电流得到倍增。A、灵敏度效应B、温度效应C、响应度效应D、雪崩效应

考题 光电检测器的种类有PN结光电二极管和()三种。A、发光二极管、PIN光电二极管B、APD雪崩光电二极管、双基极二极管C、PIN光电二极管、APD雪崩光电二极管D、双基极二极管、混频二极管

考题 下列不属于影响雪崩二极管响应速度的因素是()A、载流子完成倍增过程所需要的时间B、载流子在耗尽层的渡越时间C、结电容和负载电阻的RC时间常数D、结电容和负载电感的LC时间常数

考题 简述雪崩光电二极管的雪崩倍增效应

考题 半导体色敏传感器又称为()。A、双结光电二极管B、雪崩式光电二极管C、PIN型硅光电式二极管D、光电池

考题 光敏二极管比光敏三极管灵敏度大.

考题 下列关于光敏二极管和光敏三极管的对比不正确的是()。A、光敏二极管的光电流很小,光敏三极管的光电流则较大B、光敏二极管与光敏三极管的暗点流相差不大C、工作频率较高时,应选用光敏二极管;工作频率较低时,应选用光敏三极管D、光敏二极管的线性特性较差,而光敏三极管有很好的线性特性

考题 光照光敏二极管,引起光敏二极管发生显著变化的量是()。

考题 单选题光纤通讯中,与出射光纤耦合的光电元件应选用()。A 光敏电阻B PIN光敏二极管C APD光敏二极管D 光敏三极管

考题 单选题()就是利用雪崩效应使光电流得到倍增的高灵敏度的检测器。A 发光二极管B APD雪崩光电二极管C 双基极二极管D 混频二极管

考题 单选题()的灵敏度最高。A 光电二极管B 光敏电阻C 光电三极管D 硅光电池

考题 问答题简述雪崩光电二极管的雪崩倍增效应

考题 判断题齐纳二极管是利用二极管的雪崩击穿机理。A 对B 错

考题 单选题雪崩光电二极管(APD)利用()使光电流得到倍增。A 灵敏度效应B 温度效应C 响应度效应D 雪崩效应

考题 填空题光照光敏二极管,引起光敏二极管发生显著变化的量是()。

考题 单选题以下基于光电导效应制成的光电器件是()。A 光敏电阻B 光电管C 雪崩光敏二极管D 光电池

考题 判断题雪崩光电二极管的最佳工作点在接近雪崩击穿点附近。A 对B 错

考题 名词解释题雪崩光电二极管

考题 单选题灵敏度最高的光电器件是()A 光电二极管B 光敏电阻C 光电三极管D 硅光电池