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光刻

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考题 解释正性光刻和负性光刻的区别？为什么正胶是普遍使用的光刻胶？最常用的正胶是指哪些胶？
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考题 在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。A、CA光刻胶对深紫外光吸收小B、CA光刻胶将吸收的光子能量发生化学转化C、CA光刻胶在显影液中的可溶性强D、有较高的光敏度E、有较高的对比度
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考题 简述7次光刻的第二次光刻中O2灰化的作用。
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考题 什么是纳米光刻？
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考题 例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。
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考题 晶片经过显影后进行坚膜，坚膜的主要作用有（）。A、除去光刻胶中剩余的溶剂B、增强光刻胶对晶片表面的附着力C、提高光刻胶的抗刻蚀能力D、有利于以后的去胶工序E、减少光刻胶的缺陷
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考题 试述光刻加工的主要阶段？
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考题 光刻技术
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考题 选择性液体固化方法包括（）。A、立体光刻B、喷墨印刷C、实体磨固化D、激光光刻E、选择性激光烧结
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考题 简述光盘制作的光刻。
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考题 问答题例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。
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考题 问答题简述什么是光刻胶、光刻胶的用途、光刻对光刻胶的要求。
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考题 问答题什么是正光刻胶，负光刻胶？
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考题 问答题什么叫做光刻，光刻有何目的？
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考题 问答题PN结隔离的双极集成电路工艺需要几次光刻，每次光刻目的是什么？
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考题 判断题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A 对B 错
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考题 问答题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶？
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考题 问答题什么是光刻，光刻系统的主要指标有那些？
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考题 问答题什么是负性光刻？正性光刻？
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考题 问答题简述接触式光刻、接近式光刻及投影式光刻的优缺点。
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考题 问答题为什么说光刻是IC制造中最重要的工艺？光刻的三个要素是什么？
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考题 填空题光学光刻机的主要曝光光线的是波长为（）的g线和（）的i线，适合1微米以上特征尺寸的光刻。常用（）的KrF和（）的ArF准分子激光做1微米以下特征尺寸的光刻光源。
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考题 填空题光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。
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考题 填空题光刻中影响甩胶后光刻胶膜厚的因素有（）、（）、（）、（）。
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考题 判断题对正性光刻来说，剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。A 对B 错
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考题 问答题解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？
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考题 问答题什么是光刻？光刻的主要流程有哪些？
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