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简述LTE随机接入的过程?


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考题 LTE随机接入分为()和()。

考题 TD-LTE系统随机接入过程包括非竞争和()接入过程。

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考题 LTE中分两种随机接入过程,分别是____的随机接入过程和____的随机接入过程。

考题 LTE的随机接入基本流程。

考题 LTE中分两种随机接入过程,分别是『____』的随机接入过程和『____』的随机接入过程。(There are two kinds of random access procedure in LTE system, respectively based on『____』and『____』random access procedure. )

考题 简述LTE中随机接入信令的流程。

考题 TD-LTE中,竞争和非竞争随机接入主要区别是()A、竞争随机接入时物理层过程,非竞争随机接入时L3行为;B、竞争随机接入会发RandomAccessPreamble,非竞争随机接入不会发该消息;C、竞争随机接入会发RAPreambleassignment,非竞争随机接入不会发该消息;D、竞争随机接入不会发RAPreambleassignment,非竞争随机接入会发该消息;

考题 LTE的极限覆盖距离是(),此时使用的随机接入信道格式是(),LTE 一共有()种随机接入信号格式;

考题 TD-LTE中,基于非竞争的随机接入过程,其接入前导的分配是由网络侧分配的。( )

考题 简述竞争随机接入过程

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考题 TD-LTE中,竞争和非竞争随机接入主要区别是()A、竞争随机接入时物理层过程,非竞争随机接入时L3行为B、竞争随机接入会发Random Access Preamble,非竞争随机接入不会发该消息C、竞争随机接入会发RA Preamble assignment,非竞争随机接入不会发该消息D、竞争随机接入不会发RA Preamble assignment,非竞争随机接入会发该消息

考题 简述TD-LTE系统中基于竞争的随机接入流程。

考题 下列哪些过程涉及到LTE物理层()A、小区搜索B、功率控制C、随机接入过程D、HARQ相关过程

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考题 单选题TD-LTE中,竞争和非竞争随机接入主要区别是()。A 竞争随机接入时物理层过程,非竞争随机接入时L3行为B 竞争随机接入会发Random Access Preamble,非竞争随机接入不会发该消息C 竞争随机接入会发RA Preamble assignment,非竞争随机接入不会发该消息D 竞争随机接入不会发RA Preamble assignment,非竞争随机接入会发该消息

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