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关于抑制性突触后电位,以下正确的是

A.是局部去极化电位
B.是局部超极化电位
C.由突触前膜递质释放量减少所致
D.由突触后膜对钠通透性增加所致

参考答案

参考解析
解析:
更多 “关于抑制性突触后电位,以下正确的是 A.是局部去极化电位 B.是局部超极化电位 C.由突触前膜递质释放量减少所致 D.由突触后膜对钠通透性增加所致 ” 相关考题
考题 下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是A.是局部去极化电位 B具有“全或无”性质C.是局部超极化电位 D.由突触前膜递质释放量减少所致E.由突触后膜对钠通透性增加所致

考题 请简要说明抑制性突触后电位是怎样产生的?

考题 关于抑制性突触后电位的产生,正确的叙述是()。A.突触后膜对Ca2+K+通透性增大B.突触后膜去极化C.突触后膜出现超极化D.突触后膜出现复极化E.以上都不是

考题 下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是A、是局部去极化电位B、具有"全或无"性质C、是局部超极化电位D、由突触前膜递质释放量减少所致E、是局部去极化电位

考题 由于不同递质对突触后膜通透性影响的不同,突触后电位的类型包括A、兴奋性突触后电位和局部电位B、抑制性突触后电位和局部电位C、兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位和局部电位D、兴旮性突触后电位或抑制性突触后电位E、兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位

考题 产生抑制性突触后电位的主要离子基础是( )。

考题 下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是A.是局部去极化电位B.具有"全或无"性质SXB 下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是A.是局部去极化电位B.具有"全或无"性质C.是局部超极化电位D.由突触前膜递质释放量减少所致E.由突触后膜对钠通透性增加所致

考题 关于遗嘱继承的基本要求,以下陈述正确的是( )。关于遗嘱继承的基本要求,以下陈述正确的是( )。

考题 A.K B.Na C.Ca D.Cl E.H可产生抑制性突触后电位的离子基础是

考题 关于抑制性突触后电位的产生,正确的叙述是( )。 A. B.突触后膜去极化 C.突触后膜出现超极化 D.突触后膜出现复极化 E.以上都不是

考题 关于抑制性突触后电位性质和机制的正确描述是( )。A.具有全或无性质 B.属去极化局部电位 C.由突触后膜对Na+通透性增加所致 D.属超极化局部电位 E.由突触前膜递质释放量减少所致

考题 关于抑制性突触后电位的产生,正确的叙述是()。A、突触前轴突末梢超极化B、对Ca2+、K+通透性增大C、突触后膜出现超极化D、突触后膜去极化E、突触后膜出现复极化

考题 抑制性突触后电位是由于突触后膜出现了去极化。

考题 下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是A、是局部除极化电位B、具有"全或无"性质C、是局部超极化电位D、由突触前膜递质释放量减少所致E、由突触后膜对钠通透性增加所致

考题 抑制性突触后电位

考题 抑制性突触后电位(IPSP)

考题 单选题下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是()A 是局部去极化电位B 具有全或无性质C 是局部超极化电位D 由突触前膜递质释放量减少所致E 是局部去极化电位

考题 单选题关于抑制性突触后电位的产生,正确的叙述是()。A 突触前轴突末梢超极化B 对Ca2+、K+通透性增大C 突触后膜出现超极化D 突触后膜去极化E 突触后膜出现复极化

考题 单选题关于棘慢复合波的产生机制,正确的是(  )。A 棘波、慢波是由兴奋性突触后电位构成B 棘波、慢波是由抑制性突触后电位构成C 棘波是由抑制性突触后电位构成,慢波是由兴奋性突触后电位构成D 棘波是由兴奋性突触后电位构成,慢波是由抑制性突触后电位构成E 棘波、慢波是由突触前电位构成