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单选题
自为基准是以加工面本身为基准，多用于精加工或光整加工工序，这是由于（）
A

符合基准重合原则

B

符合基准统一原则

C

保证加工面的余量小而均匀

D

保证加工面的形状和位置精度

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考题 在安排零件的切削加工工序时，常遵循的原则是：()。A、先加工基准面，后加工其它表面B、先加工加工其它表面，后加工基准面C、先精加工，后粗加工D、先安排次要表面的加工，穿插加工主要表面
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考题 选择定位基准应按()原则。 A.定位基准与设计基准重合B.各加工面采用不同定位基准C.精加工工序定位基准应是未加工表面D.粗加应尽量选择已加工或者加工余量比较大的平整表面
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考题 导柱的加工方案可选择为（）。A、备料→粗加工→半精加工→精加工→光整加工→热处理B、备料→粗加工→半精加工→精加工→热处理→光整加工C、备料→粗加工→热处理→半精加工→精加工→光整加工D、备料→粗加工→半精加工→热处理→精加工→光整加工
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考题 机械加工工序可以分为（）。A、粗加工工序B、半精加工丁序C、精加工工序D、超精加工工序E、光整加工工序F、表面处理工序
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考题 选择定位基准应按（）原则。A、定位基准与设计基准重合B、各加工面采用不同定位基准C、精加工工序定位基准应是未加工表面D、粗加应尽量选择已加工或者加工余量比较大的平整表面
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考题 自为基准多用于精加工或光整加工工序，其目的是（）。A、符合基准重合原则B、符合基准统一原则C、保证加工面的形状和位置精度D、保证加工面的余量小而均匀
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考题 自为基准是指以（）作为定位基准，多用于精加工或光整加工工序，这是由于保证加工表面的加工余量小且均匀。
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考题 安排工艺顺序时，一般先安排加工零件上的设计基准面、主要工作面，后安排加工零件上的键槽、螺孔等，这是遵循工艺顺序安排原则的哪一条（）A、先加工基准面，再加工其它表面B、先加工平面，后加工孔C、先加工主要表面，后加工次要表面D、先安排粗加工工序，后安排精加工工序
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考题 自为基准是指以（）作为定位基准,多用于精加工或光整加工工序,这是由于保证加工表面的（）且均匀。
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考题 选择几个被加工表面（或几道工序）都能使用的定位基准为精基准，符合（）原则。A、基准重合B、基准统一C、自为基准D、互为基准
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考题 在精加工工序中，加工余量小而均匀时可选择加工表面本身作为定位基准的为（）。A、基准重合原则B、互为基准原则C、基准统一原则D、自为基准原则
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考题 应安排其他设备完成数控镗床加工后的（）。A、精化工序B、精加工工序C、光整加工工序D、修光工序
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考题 用（）作为定位基准，称为精基准或光基准。A、半精加工面B、精加工面C、光整表面D、已加工表面
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考题 以（）为定位依据的定位基准，称为粗基准或毛基准。A、毛坏面B、粗加工面C、半精加工画D、粗糙表面
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考题 安排其他设备完成数控镗床加工后的（）。A、精化工序B、精加工工序C、光整加工工序D、修光工序
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考题 当精加工或光整加工工序要求余量尽量小而均匀时，应选择加工表面本身作为精基准，而该加工表面与其它表面之间的位置精度则要求由先行工序保证，即遵循（）的原则。A、基准统一B、自为基准C、基准重合D、基准不定
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考题 划线时有精加工面的以精加工面为划线基准。
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考题 用（）作为的定位基准，称为精基准或光基准。A、半精加工面B、精加工面C、光整表面D、已加工表面
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考题 磨削只用于机械加工的最后一道精加工或光整加工工序。
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考题 当精加工表面要求加工余量小而均匀时，选择定位精基准的原则是（）A、[A]：基准重合B、[B]：基准统一C、[C]：互为基准D、[D]：自为基准
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考题 精基准是指在精加工工序中使用的定位基准。
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考题 自位基准是以加工面本身作为精基准，多用于精加工或光整加工工序中，这是由于（）。A、符合基准统一的原则；B、符合基准重合的原则；C、能保证加工面的余量均匀；D、能保证加工面的形状和位置精度。
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考题 自为基准是以加工面本身为基准，多用于精加工或光整加工工序，这是由于（）A、符合基准重合原则B、符合基准统一原则C、保证加工面的余量小而均匀D、保证加工面的形状和位置精度
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考题 单选题自位基准是以加工面本身作为精基准，多用于精加工或光整加工工序中，这是由于（）。A 符合基准统一原则B 符合基准重合原则C 能保证加工面的余量小而均匀D 能保证加工面的形状和位置精度
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考题 单选题自为基准是以加工面本身为精基准，多用于精加工或光整加工工序，这是由于（）。A 符合基准重合原则B 符合基准统一原则C 保证加工面的余量小而均匀D 保证加工面的形状和位置精度
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考题 单选题选择定位基准应按（）原则。A 定位基准与设计基准重合B 各加工面采用不同定位基准C 精加工工序定位基准应是未加工表面D 粗加应尽量选择已加工或者加工余量比较大的平整表面
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考题 单选题当精加工表面要求加工余量小而均匀时，选择定位精基准的原则是（）A [A]：基准重合B [B]：基准统一C [C]：互为基准D [D]：自为基准
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