考题
比较而言,下列半导体器件中开关速度最快的是()。
A.GTOB.GTRC.MOSFET
考题
下列半导体器件中属于电流型控制器件的是()。
A.GTRB.MOSFETC.IGBT
考题
半导体湿度传感器可以分为()。A、元素半导体湿敏器件B、金属氧化物半导体湿敏器件C、多功能半导体陶瓷湿度传感器D、MOSFET湿敏器件E、结型湿敏器件
考题
下列选项有关功率半导体器件的工作特点,不正确的描述是()。A、功率半导体器件处于开关状态B、导通管压降低C、漏电流很大D、管子导通时，相当于短路
考题
下列大功率半导体器件中的()是全控型器件,但不是电流型器件。
A、GTRB、SCRC、IGBTD、GTO
考题
半导体管特性图示仪除测量半导体器件外,还可以对电容器进行()的测量。
A.绝缘性能B.介质参数C.耐压或漏电流D.大电流
考题
半导体管图示仪对半导体器件进行测量的同时,在示波管屏幕上可显示出各种半导体器件的()。
A.性能参数B.转移特性C.内部性能D.特性曲线
考题
晶闸管的管芯是四层（）半导体板三端（A、K、G）器件，它决定晶闸管的性能。A、NPNPB、PNPNC、NPPND、PNNP
考题
半导体管图示仪对半导体器件进行测量时的同时，在示波管屏幕上可显示出各种半导体的（）A、性能参数B、转移特性C、内部性能D、特性曲线
考题
利用半导体的光电效应制成的器件叫半导体器件。
考题
整流电路主要是利用（）实现的。A、半导体器件的单向导电性B、半导体器件的电容效应C、半导体器件的击穿特性D、半导体器件的温度敏感性
考题
（）都不能单独构成半导体器件，PN结才是构成半导体器件的基本单元。A、本征半导体B、P型半导体C、N型半导体D、NPN型半导体
考题
半导体管图示仪对半导体器件进行测量的同时，在示波管屏幕上可显示出各种半导体器件的（）。A、性能参数B、转移特性C、内部性能D、特性曲线
考题
晶体管是电流控制型半导体器件，而场效应晶体管则是电压型控制半导体器件。
考题
在半导体存储器件中，什么是SRAM、DRAM和NVRAM？
考题
半导体管特性图示仪除测量半导体器件外，还可以对电容器进行（）的测量。A、绝缘性能B、介质参数C、耐压或漏电流D、大电流
考题
在本征半导体中掺入杂质的目的是（）。A、提高半导体的导电能力B、降低半导体的导电能力C、制造出合乎要求的半导体材料，用来生产半导体器件D、产生PN结
考题
半导体器件应用中需要哪些保护？都有什么手段？
考题
单极型器件是仅依靠单一的多数载流子导电的半导体器件。
考题
半导体管图示仪在对半导体器件进行测量的同时，在示波管屏幕上可显示出各种半导体器件的（）。A、性能参数B、转移特性C、内部性能D、特性曲线
考题
下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（）。A、GTRB、MOSFETC、IGBT
考题
问答题半导体光电器件是利用什么效应制作的器件？
考题
多选题下列属于电流驱动型功率半导体器件的是（）。AGTOBGTRC功率MOSFETDIGBT
考题
单选题比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（）。A
GTRB
MOSFETC
IGBT
