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普通硅二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V;锗二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V。发光二极管的正向导通压降范围大约为()V。


参考答案

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考题 型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为( )。 A、0.2 VB、0.7 VC、1 V

考题 二极管的基本特性是______,硅管导通时正向压降约为______V。

考题 硅二极管的正向导通压降和锗二极管的一样大。() 此题为判断题(对,错)。

考题 二极管的电压—电流关系可简单理解为()导通,()截止的特性。导通后,硅管管压降约为(),锗管管压降约为()。

考题 常温下,硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为()V。 A.0.1B.0.3C.0.5D.0.7

考题 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的()。A、大B、小C、相等D、无法判定

考题 二极管正向导通时,压降很小,硅管0.2-0.3V,锗管0.5-0.7V。

考题 常温下,硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为()V。A、0.1B、0.3C、0.5D、0.7

考题 在常温常压下,硅二极管的正向导通压降约为()。A、0.1~0.3VB、0.4~0.5VC、0.6~0.8VD、0.9~1.0V

考题 在常温常压下,锗二极管的正向导通压降约为()。A、0.1~0.3VB、0.4~0.5VC、0.6~0.8VD、0.9~1.0V

考题 二极管处于正向导通时,其正向压降变化不大,硅管约为(),锗管约为()

考题 二极管的伏安特性可大概理解为()、()。导通的硅管的压降约为()V。

考题 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大。()

考题 硅二极管的正向导通压降约为()A、0.7VB、0.5VC、0.3VD、0.2V

考题 常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。

考题 二极管正向导通时的正向电压值称为管压降,一般小功率硅管的管压降可为()V。A、0.6B、0.7C、0.8D、1.0

考题 硅管的导通压降约为()V,锗管的导通压降约为()V。

考题 晶体二极管导通时的正向压降:硅管约为()V,锗管约为()V。通常硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。

考题 在工程估算中,硅二极管的正向导通电压取()V,锗二极管的正向导通电压取()V。

考题 在常温下,硅二极管的开启电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。

考题 在常温下,硅二极管的门限电压约()V,导通后在较大电流下的正向压降约()V,锗二极管的门限电压约()V,导通后在较大电流下的正向压降约()V。

考题 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的()

考题 在常温下,硅二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为();锗二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。

考题 常温下,硅二极管的正向导通压降为()。A、0.3V;B、0.7V;C、1V

考题 单选题常温下,硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为()V。A 0.1B 0.3C 0.5D 0.7

考题 填空题常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。

考题 判断题二极管正向导通时,压降很小,硅管0.2-0.3V,锗管0.5-0.7V。A 对B 错