考题
压电晶片的振动频率于晶片厚度有关。()
此题为判断题(对，错)。
考题
从探头表面发射出的声束受下列哪些因素影响？①声束波长；②探头材料；③压电晶片的直径A、②B、①③C、②③D、①②③E、①②
考题
探头中压电晶片的基频取决于()A.激励电脉冲的宽度
B.发射电路阻尼电阻的大小
C.晶片材料和厚度
D.晶片的机电耦合系数
考题
压电晶片的压电电压常数大，则说明该晶片发射性能好。
考题
压电晶片的两个工作面上积聚的电荷量与（）成正比。A、工作面的面积B、作用在晶片上的压强C、作用在晶片上的力D、晶片厚度
考题
探头中压电晶片的基频取决于（）A、激励电脉冲的宽度B、发射电路阻尼电阻的大小C、晶片材料和厚度D、晶片的机电耦合系数
考题
直探头的压电晶片发射纵波，斜探头的压电晶片发射横波、表面波或板波。
考题
探头中使用压电陶瓷晶片的优点是（）。A、激励电脉冲的宽度B、发射电路阻尼电阻的大小C、晶片的材料和厚度D、晶片的机电耦合系数
考题
超声波探头中的压电晶片有压电效应，当高频电脉冲激励压电晶片时，发生逆压电效应，将（），探头发射超声波。
考题
探头中的换能器通常用压电晶片来制作，当压电晶片受发射电脉冲激励后产生振动，即可发射声脉冲，为（）效应。A、逆压电B、正压电C、压电D、压差
考题
超声波探头所选用压电晶片的频率与晶片厚度有密切关系，频率越高，晶片越薄。
考题
发射部分产生约500V以上的高压电脉冲，这个是电脉冲加到压电晶片上能使晶片发生（）。A、声电变换B、超声波C、触发信号电压D、低频脉冲
考题
压电晶片的压电电压常数（g33）大，则说明该晶片接收性能好
考题
压电晶片的压电电压常数大，则说明该晶片（）。
考题
探头的频率取决于（）。A、晶片的厚度B、晶片材料的声速C、晶片材料的声阻抗D、晶片材料的密度
考题
从探头表面发射出的声束受哪些因素影响（ ） ①声束波长 ②探头材料 ③压电晶片的直径A、②B、①③C、②③D、①②③E、①②
考题
某探头晶片的波速为CL=5.74*106mm/s，晶片厚度t=0.574，求探头的特征频率。
考题
超声波探头的压电晶片的振动频率与晶片厚度有什么关系？
考题
单选题压电晶片的两个工作面上积聚的电荷量与（）成正比。A
工作面的面积B
作用在晶片上的压强C
作用在晶片上的力D
晶片厚度
考题
问答题超声波探头的压电晶片的振动频率与晶片厚度有什么关系？
考题
单选题探头中压电晶片的基频取决于（）A
激励电脉冲的宽度B
发射电路阻尼电阻的大小C
晶片材料和厚度D
晶片的机电耦合系数
考题
单选题从探头表面发射出的声束受哪些因素影响？①声束波长；②探头材料；③压电晶片的直径。（ ）A
②B
①③C
②③D
①②③E
①②
考题
判断题直探头的压电晶片发射纵波，斜探头的压电晶片发射横波、表面波或板波。A
对B
错
考题
填空题若压电晶片的厚度为30mm，晶片的声速为3000m/s，则发射声波的频率为（）。
考题
单选题探头的频率取决于（）。A
晶片的厚度B
晶片材料的声速C
晶片材料的声阻抗D
晶片材料的密度
考题
问答题某探头晶片的波速为CL=5.74*106mm/s，晶片厚度t=0.574，求探头的特征频率。
