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压电晶片的压电电压常数大，则说明该晶片发射性能好。

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考题 常用压电晶片基频主要取决于发射电压幅度。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 探头中压电晶片的基频取决于()A.激励电脉冲的宽度 B.发射电路阻尼电阻的大小 C.晶片材料和厚度 D.晶片的机电耦合系数
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考题 压电陶瓷晶片越厚，则换能器发射的声波频率（）。A、越低B、越高C、基本不变D、没有影响
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考题 探头中压电晶片的基频取决于（）。A、激励电脉冲的宽度B、发射电路阻尼电阻的大小C、晶片材料和厚度D、晶片的机电耦合系数
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考题 直探头的压电晶片发射纵波，斜探头的压电晶片发射横波、表面波或板波。
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考题 不同压电晶体的频率常数不一样，故不同压电晶体作成频率相同的晶片其厚度不同。
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考题 探头中使用压电陶瓷晶片的优点是（）。A、激励电脉冲的宽度B、发射电路阻尼电阻的大小C、晶片的材料和厚度D、晶片的机电耦合系数
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考题 压电晶片是基于压电效应发射和接收超声波的。
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考题 超声波探头中的压电晶片有压电效应，当高频电脉冲激励压电晶片时，发生逆压电效应，将（），探头发射超声波。
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考题 探头中的换能器通常用压电晶片来制作，当压电晶片受发射电脉冲激励后产生振动，即可发射声脉冲，为（）效应。A、逆压电B、正压电C、压电D、压差
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考题 发射部分产生约500V以上的高压电脉冲，这个是电脉冲加到压电晶片上能使晶片发生（）。A、声电变换B、超声波C、触发信号电压D、低频脉冲
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考题 压电晶片的压电电压常数（g33）大，则说明该晶片接收性能好
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考题 压电晶片的压电电压常数大，则说明该晶片（）。
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考题 常用压电晶片基频主要取决于电压。
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考题 压电晶片并联接法的特点是（）。A、输出电荷大B、时间常数大C、电容大D、适合测量慢变信号
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考题 压电式传感器往往采用多片压电晶片串联或并联方式，当采用多片压电晶片并联方式时，适合于测量何种信号？
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考题 压电晶片的连接方式中串联接法（）A、输出电压大，本身电容小，适宜用于以电压作输出信号B、输出电荷大，本身电容大， 时间常数大C、输出电压小，本身电容大，适宜用于以电压作输出信号D、输出电荷小，本身电容小， 时间常数大
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考题 若压电晶片的厚度为30mm，晶片的声速为3000m/s，则发射声波的频率为（）。
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考题 超声波探头利用压电晶片的（）发射超声波。A、正压电效应B、逆压电效应C、压电效应D、振动效应
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考题 判断题压电晶片的压电应变常数（d33）大，则说明该晶片接收性能好。A 对B 错
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考题 单选题探头中压电晶片的基频取决于（）A 激励电脉冲的宽度B 发射电路阻尼电阻的大小C 晶片材料和厚度D 晶片的机电耦合系数
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考题 判断题压电晶片的压电电压常数（g33）大，则说明该晶片接收性能好。A 对B 错
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考题 填空题若压电晶片的厚度为30mm，晶片的声速为3000m/s，则发射声波的频率为（）。
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考题 单选题压电晶片的连接方式中串联接法（）A 输出电压大，本身电容小，适宜用于以电压作输出信号B 输出电荷大，本身电容大， 时间常数大C 输出电压小，本身电容大，适宜用于以电压作输出信号D 输出电荷小，本身电容小， 时间常数大
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考题 判断题直探头的压电晶片发射纵波，斜探头的压电晶片发射横波、表面波或板波。A 对B 错
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考题 判断题常用压电晶片基频主要取决于电压。A 对B 错
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考题 单选题压电陶瓷晶片越厚，则换能器发射的声波频率（）。A 越低B 越高C 基本不变D 没有影响
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