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霍尔系数由材料的性质决定,它反映材料霍尔效应的强弱。


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考题 在霍尔材料的垂直方向上施加一稳定磁场B,相对两侧施加控制电流I,另外两端产生电势差,这种现象称为:A、压电效应B、压阻效应C、霍尔效应D、多普勒效应

考题 在霍尔式压力传感器中,不影响霍尔系数大小的参数是(  )。 A. 霍尔片的厚度 B. 霍尔元件材料的电阻率 C. 材料的载流子迁移率 D. 霍尔元件所处的环境温度

考题 用霍尔法测直流磁场的磁感应强度时,霍尔电压的大小:()A、与霍尔材料的性质无关;B、与外加磁场的磁感应强度的大小成正比;C、与霍尔片上的工作电流的大小成反比;D、与霍尔片的厚度成正比

考题 霍尔效应是由德国的物理学家霍尔发现的。

考题 霍尔元件是根据霍尔效应原理制成的磁电转换元件,常用()及锑化铟等半导体材料制成。A、锗B、硅C、砷化镓D、砷化铟

考题 霍尔压力变送器的霍尔元件由半导体材料制成,因此它的性能参数如输入和输出电阻、霍尔常数等也随温度而变化,致使()变化,产生温度误差。A、输出电流B、输出电压C、霍尔电势D、霍尔电位

考题 光子传感器是利用某些半导体材料在入射光的照下,产生().使材料的电学性质发生变化。通过测量电学性质的变化,可以知道红外辐射的强弱。光子效应所制成的红外探测器。 A、光子效应B、霍尔效应C、热电效应D、压电效应

考题 用霍尔法测磁感应强度时,霍尔片上除了不等势电压外,还存在由热电效应和热磁效应引起的各种副效应,这些副效应大多通过()方法,即改变()和()的方向加以消除。如果电流沿X轴方向,磁场沿Z轴方向,由在Y轴方向测得的霍尔电压可推知霍尔电场沿Y轴正向,则此霍尔元件是由()(填N型或P型)半导体材料制造的。

考题 在霍尔效应中,霍尔电压的大小:()A、与励磁电流无关B、与霍尔片上的工作电流的大小成正比C、与外加磁场的磁感应强度的大小成反比D、与霍尔材料的性质无关

考题 用霍尔法测直流磁场的磁感应强度时,霍尔电压的大小:()A、与霍尔材料的性质无关B、与外加磁场的磁感应强度的大小成正比C、与霍尔片上的工作电流Is的大小成反比D、与霍尔片的厚度d成正比

考题 上海桑塔纳轿车使用的是()无触点电子点火系统。A、霍尔效应B、霍尔电压C、霍尔电流D、霍尔系数

考题 基于霍尔效应工作的半导体元件多采用P型半导体材料。

考题 半导体应变片的工作原理是基于半导体材料的霍尔效应。

考题 什么叫霍尔效应、霍尔电势和霍尔元件?霍尔元件采用何种材料?由什么组成?霍尔元件能够测量哪些物理参数?霍尔元件的不等位电势的概念是什么?温度补偿的方法有哪几种?

考题 半导体材料的电阻率随作用应力而变化的效应称为()。A、压电效应B、霍尔效应C、热电效应D、压阻效应

考题 霍尔电压大小与材料的性质有关。

考题 金属材料的霍尔效应比半导体材料的霍尔效应强。

考题 什么是霍尔效应?霍尔电势的大小与方向和哪些因素有关?霍尔元件常采用什么材料?为什么?

考题 霍尔电压的大小与导体的载流子密度有关,它随载流体材料的不同而不同。

考题 单选题光子探测是利用入射光和磁,产生(),使材料的电学性质发生变化。通过测量电学性质的变化,可以知道红外辐射的强弱。A 光子效应B 霍尔效应C 热电效应D 压电效应

考题 填空题()电导具有霍尔效应,离子电导具有电解效应,从而可以通过这两种效应检查材料中载流子的()。

考题 单选题上海桑塔纳轿车使用的是()无触点电子点火系统。A 霍尔效应B 霍尔电压C 霍尔电流D 霍尔系数

考题 单选题光子传感器是利用某些半导体材料在入射光的照下,产生().使材料的电学性质发生变化。通过测量电学性质的变化,可以知道红外辐射的强弱。光子效应所制成的红外探测器。A 光子效应B 霍尔效应C 热电效应D 压电效应

考题 单选题在霍尔式压力传感器中,不影响霍尔系数大小的参数是(  )。[2007年真题]A 霍尔片的厚度B 霍尔元件材料的电阻率C 材料的载流子迁移率D 霍尔元件所处的环境温度

考题 单选题下列关于霍尔效应描述中,正确的是()。A 霍尔系数的大小反映了霍尔效应的强弱,由材料的物理性质决定B 霍尔系数越大,霍尔电势越小C 霍尔元件的厚度越大,霍尔电势越大D 磁场的磁感应强度越大,霍尔电势越小

考题 问答题霍尔元件常用材料有哪些?为什么不用金属做霍尔元件材料?

考题 问答题什么是霍尔效应?为什么半导体材料适合于做霍尔元件?